类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 22A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 139mΩ@11A,10V |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 64nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.88nF@100V |
STW30N65M5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计适用于高电压和高电流的应用场景,特别是在电源管理、逆变器、开关电源和电动机控制系统等领域。该器件具备650V的漏源电压(Vdss),在25°C环境温度下可承受22A的连续漏电流(Id),提供了强大的功率处理能力,从而满足许多高效能应用的需求。
STW30N65M5采用了TO-247-3封装类型,适合通孔安装。这种封装形式不仅方便安装,还能有效散热,适合高功率应用。其物理尺寸设计合理,在电路板布局上也较为灵活,能够满足多种设计需求。
STW30N65M5由于其卓越的性能,广泛应用于以下领域:
STW30N65M5相对于其他竞争型产品,具有多个优势:
总体来看,STW30N65M5是一款适合高压高流应用的MOSFET,不仅具有卓越的电气性能,还有着良好的温度稳定性,适合多种工业和消费电子应用。对于寻求高性能、大电流控制解决方案的工程师和设计师来说,这款MOSFET无疑是一个理想的选择。通过灵活的应用设计与优异的产品性能,STW30N65M5将在未来的智能系统和高效能设备中发挥重要作用。