STW15NK50Z

STW15NK50Z 产品概述

一、产品概述

STW15NK50Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。凭借其优越的电气参数和高效的散热能力，这款器件在电源管理、电机驱动和高频开关应用中展现出极大的潜力。该 MOSFET 具有额定漏源电压 500V、连续漏极电流 14A、功率耗散最高可达 160W，适合在严苛环境下长期稳定工作。

二、技术参数

1. FET 类型：

   • STW15NK50Z 属于 N 通道 MOSFET，具有良好的导电性和开关特性。

2. 漏源电压（Vdss）：

   • 该器件的漏源电压额定值为 500V，适合于需要高电压操作的应用场合。

3. 漏极电流（Id）：

   • 在 25°C 工作环境下，连续漏极电流高达 14A，能够支持多种高负载应用。

4. 导通电阻（Rds On）：

   • 导通电阻的最大值为 340 毫欧（@ 10V, 7A），这显著降低了在高电流下的能量损耗，提升了整体效率。

5. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：

   • Vgs(th) 最大值为 4.5V（@ 100µA），满足大部分控制电路的驱动需求。

6. 栅极电荷（Qg）：

   • 栅极电荷的最大值为 106nC（@ 10V），这对于高频开关应用表现出良好的开关速度。

7. 输入电容（Ciss）：

   • 输入电容最大值为 2260pF（@ 25V），为器件的高频性能提供了保障。

8. 功率耗散：

   • STW15NK50Z 的最大功率耗散能力为 160W（@ Tc），满足高功率应用的需要。

9. 工作温度：

   • 工作温度范围为 -50°C 至 150°C，确保在各种恶劣环境中都能正常工作。

10. 封装类型：

    • 该 MOSFET 采用 TO-247-3 封装，具有良好的散热性能和易于安装的特性，适合通孔安装设计。

三、应用领域

1. 电源管理：

   • STW15NK50Z 可广泛用于 DC-DC 转换器、逆变器和开关电源等电源管理应用，能够有效提高转换效率，降低整体能耗。

2. 电机驱动：

   • 由于其高电压和电流承载能力，该器件适合用于电机驱动电路，包括步进电机和直流无刷电机的控制，提升电机效率及响应速度。

3. 高频开关应用：

   • 高栅极开关速度使得 STW15NK50Z 在高频应用中表现出色，尤其是在开关电源、射频放大器等领域有着广泛的应用。

四、总结

STW15NK50Z 是一款强大、可靠的 N 通道 MOSFET，它的各项优越性能使其成为众多应用中不可或缺的元件。无论是在电源管理、工业控制，还是在电机驱动领域，STW15NK50Z 都展现了极强的适应性和竞争力。凭借意法半导体的良好声誉及长期的技术积累，STW15NK50Z 无疑是现代电子设计中一个极好的选择。选用该器件，将帮助工程师们在设计中实现更高的效率和更好的性能。