NCE30D2519K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE30D2519K

商品编码: BM0000866002
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252-4
包装 : 
编带
重量 : 
0.356g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 21W 8.5mΩ@10V,7A 30V 1个N沟道+1个P沟道 TO-252-4
库存 :
4048(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.928
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.928
--
100+
¥0.714
--
1250+
¥0.605
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE30D2519K参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)19A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)21W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)920pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)90pF@30V工作温度-55℃~+175℃

NCE30D2519K手册

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NCE30D2519K概述

NCE30D2519K 产品概述

一、基本信息

NCE30D2519K 是一款高效能的场效应管(MOSFET),由知名的电子元器件制造商新洁能(NCE)出品。该MOSFET的设计符合现代电子设备对高性能和低能耗的严苛需求。NCE30D2519K 包含了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET,适合在多种应用场景中使用,具备出色的电流承载能力和低导通电阻,确保系统高效稳定的运行。

二、技术规格

  1. 功率与电阻

    • 功耗:该MOSFET的最大额定功率为21W,适合在多个功率应用中使用。
    • 导通电阻:在VGS为10V,ID为7A时,N沟道MOSFET的导通电阻仅为8.5mΩ。这一低导通电阻极大地减少了在工作过程中产生的热量,提高了能效。
  2. 电压与电流

    • 最大漏极-源极电压(VDS):30V,能够承受较高的工作电压,适合于多种电源管理和开关电源应用。
    • 最大漏极电流(ID):7A,提供了良好的电流支持能力,能够满足大多数电子设备的需求。
  3. 封装形式:采用TO-252-4封装,使其在散热、安装和集成电路板的布局方面更具优势。该封装提供了较大的散热面,优化了热管理特性。

三、应用领域

NCE30D2519K具有广泛的应用领域,包括但不限于:

  1. 开关电源:因其优异的导通性能和较低的开关损耗,这款MOSFET非常适用于现代开关电源设计。它可用于反激式、正激式和其他开关电源拓扑结构。

  2. 电机驱动:在电机驱动和控制应用中,NCE30D2519K的高额定电流和电压使其能够高效控制电机的启停与调速。而其低导通电阻也有助于降低驱动电路的功耗和发热。

  3. 电池管理系统:运用于电池管理和充电电路,能够实现高效的电池充放电管理。

  4. LED驱动:在LED照明领域,NCE30D2519K可应用于LED驱动电路,保证稳定的电流输出以实现持续的亮度。

  5. 消费电子产品:广泛应用于各类消费电子产品中,如平板电脑、智能手机、笔记本电脑等,以实现高效能的功率管理。

四、优势特性

  1. 高效能:NCE30D2519K具备极低的导通电阻和优秀的功率处理能力,确保了其在高负载工作状态下的高效性。

  2. 可靠性:该产品经过严格的测试和认证,能够在多种工况下可靠运行,减少因器件失效导致的设备故障风险。

  3. 热管理:TO-252-4封装的设计优化了散热能力,降低了在高负载条件下的温升,延长了产品和系统的使用寿命。

  4. 双MOSFET组合:集成化的设计使其在电路设计时节省空间,并降低了组件数量,提高了系统的集成度与可靠性。

五、总结

NCE30D2519K是一款表现优异的场效应管,凭借其卓越的电性能和宽广的应用范围,成为现代电子设计中的可靠选择。无论是开关电源、电机驱动还是电池管理系统,它都能提供高效、可靠的功率解决方案,为电子设备的高性能运行提供了坚实的支持。随着电子应用的不断进步和更新,NCE30D2519K必将为行业注入新的活力和可能性。