晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1.25A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@10mA,2V | 特征频率(fT) | 210MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 25mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述
ZUMT618TA 是一款高性能的 NPN 型三极管(双极型晶体管,BJT),广泛应用于各种电子电路中。其专为低功耗和高频应用而设计,具有良好的电流增益和高工作温度范围,适用于多种电子设备及电路设计。该产品由 DIODES(美台)公司制造,封装形式为 SOT-323,适合表面贴装需求。
关键特性
应用场景
ZUMT618TA 适用于多种应用场景,包括:
设计考虑
在设计电路时,需要考虑 ZUMT618TA 的工作条件和性能指标。例如,确保输入信号的电压和电流在晶体管的工作范围内,避免超过最大集电极电流和集射极击穿电压。此外,合理的散热设计在高功率应用中非常重要,以保证晶体管在安全的温度范围内运行。
结束语
ZUMT618TA 是一款性能强大且多功能的 NPN 三极管,凭借其高电流增益、广泛的工作温度范围和小巧的封装,成为众多电子设计中的理想选择。无论是用于开关电源、RF 放大器还是低功耗应用,ZUMT618TA 均能满足工程师对性能和可靠性的高要求,使其成为重要的电子元器件之一。