类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21.7mΩ@4.5V,7.5A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: RF4E075ATTCR
类型: P沟道MOSFET
概述: RF4E075ATTCR是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),具有优越的电气特性与热稳定性,适用于各种电源管理和信号开关应用。其工作电压最高可达30V,最大连续漏极电流为7.5A,能够满足现代电子设备对于高效能和高可靠性的需求。
技术特点:
电气参数:
驱动特性:
热性能:
结构与封装:
应用场景: RF4E075ATTCR广泛应用于各种电子设备,包括但不限于:
由于其出色的性能与灵活的应用范围,RF4E075ATTCR被认为是设计高效能电源管理解决方案的理想选择。设计工程师可以通过运用该MOSFET有效提升电路的整体效率,降低功率损耗并延长产品的使用寿命。
总结: RF4E075ATTCR是一款高效能且可靠的P沟道MOSFET,适合各类电子应用。其卓越的电气特性和优秀的热性能使其成为电源管理与控制领域中的重要元件之一。选用RF4E075ATTCR将为您的项目提供强有力的支持,助力实现设计创新与性能优化。