类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 450V |
连续漏极电流(Id) | 500mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5Ω@10V,0.5A |
功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@360V | 输入电容(Ciss@Vds) | 160pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.7pF@25V | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
STQ1NC45R-AP是一款高性能的N通道MOSFET,属于意法半导体(STMicroelectronics)生产的产品。该器件专为高电压和中功率应用而设计,具有优秀的电气性能和可靠性。其最大漏源电压(VDS)高达450V,连续漏极电流(ID)为500mA,非常适合各种工业和消费电子领域的应用。
STQ1NC45R-AP广泛应用于要求高电压和适度电流的场合,如:
STQ1NC45R-AP采用TO-92封装,这不仅便于制造与安装,还能够有效散热,尤其是在工作电流较大的情况下,利于维护器件的稳定性和安全。此外,TO-92封装的外形设计使得其兼容于多种线路板设计,适应性强。
STQ1NC45R-AP N通道MOSFET在高电压和中电流应用领域展现出卓越的性能和可靠性,其在多个关键参数上的优化设计使其在开关电源、直流-直流转换器和电机驱动应用中具有显著优势。通过结合其广泛的工作温度范围和易于使用的驱动特性,STQ1NC45R-AP是各种电子应用中不可或缺的重要元器件。无论是在新产品开发还是在现有产品的技术升级中,STQ1NC45R-AP都会是一个理想的选择。