PDTC123EU,115 产品实物图片
PDTC123EU,115 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTC123EU,115

商品编码: BM0000973001
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-323-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存 :
1591(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.506
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.506
--
200+
¥0.168
--
1500+
¥0.105
--
3000+
¥0.0837
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC123EU,115参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@20mA,5V

PDTC123EU,115手册

PDTC123EU,115概述

产品概述:PDTC123EU,115

基本信息
PDTC123EU,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款数字晶体管,采用了先进的 NPN 预偏置设计,以满足现代电子应用的高性能需求。该器件采用了 SOT-323 封装,适合于表面贴装方式,便于在紧凑的电路板上进行集成,广泛应用于各类数字和模拟电路中。

封装与外形
PDTC123EU,115 采用 SOT-323 封装,这一封装形式使得其体积小巧,便于在有限空间内使用。卷带(TR)包装形式便于自动化贴片机的使用,提高了生产效率。该器件的外形设计确保了良好的热管理性能和可靠的电气连接。

电气特性
PDTC123EU,115 的主要电气参数包括:

  • 集电极电流(Ic)最大值:100mA
  • 集射极击穿电压(Vce(max)):50V
  • 功率(Pmax):200mW
  • 直流电流增益(hFE 最小值):在 20mA 和 5V 条件下最小为 30。
  • 饱和压降(Vce(sat)最大值):在 500µA 和 10mA 条件下最大为 150mV。
  • 集电极截止电流(Ic(max)):最大为 1µA。

该器件可在多个工业和消费电子应用中使用,有着出色的线性和开关性能。它能够在绝大多数情况下保持良好的增益性能,并且在不同的负载条件下保持相对稳定的输出。

应用领域
PDTC123EU,115 在许多应用中都表现优异,尤其是在数字电路、开关电源和小型功率放大器等方面。它非常适合用于:

  1. 信号放大:在音频和视频设备中,将微弱的信号放大,以确保信号质量。
  2. 开关应用:可用于控制较大电流的电流开关,比如驱动继电器或外部负载。
  3. 驱动电路:常用在驱动小规模的 LED 或小型电机中,提供稳定的控制。
  4. 功率管理:在电源管理电路中用于控制电压和电流的分配,以提高效率。

设计参数
在设计时,推荐使用 2.2 kOhms 基极电阻(R1)和 2.2 kOhms 发射极电阻(R2),这能够确保晶体管在受控的工作区域内运行,减少输出的畸变并提升线性度。此外,这对确保高增益和稳定性都是至关重要的。

优势与特点

  1. 高性能:该器件的低饱和电压特性降低了功率损耗,使得其在开关应用中更有效。
  2. 小型化设计:与传统大型器件相比,SOT-323 封装的 PDTC123EU,115 显著降低了电路板面积,便于高密度集成。
  3. 可靠性:高质量的制造工艺确保了产品的长期稳定性和可靠性,适合于各种工业应用场合。
  4. 简单驾驶:适应于低电流驱动的要求,对于设计人员来说,方便了电路设计。

总结
PDTC123EU,115 作为一款高性能的数字晶体管,以其较强的电气特性和紧凑的封装成为电子工程师的重要选择。无论是用于日常电子原型开发,还是应用于复杂的电子系统设计,这款器件都能满足市场的需求。凭借 Nexperia 品牌的可靠性与技术支持,PDTC123EU,115 也为电路设计提供了更大的灵活性和可能性。