PUMD20,115

产品概述：PUMD20,115

1. 引言

PUMD20,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能数字晶体管，专为各种电子应用而设计。这款器件集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管，属于预偏压型双极晶体管，适合在低功耗和中等电流的电子电路中使用。PUMD20,115 的小型封装和高效率的性能使其成为现代电子产品中不可或缺的元件之一。

2. 基本参数

PUMD20,115 的主要参数如下：

• 类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
• 最大集电极电流 (Ic): 100 mA
• 最大集射极击穿电压 (Vce): 50 V
• 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
• 发射极电阻 (R2): 2.2 kΩ
• DC 电流增益 (hFE): 不同 Ic、Vce 时最小值为 30（@ 20mA，5V）
• 饱和压降 (Vce): 不同 Ib、Ic 时最大值为 150 mV（@ 500 µA，10 mA）
• 集电极截止电流 (I_C(OFF)): 最大值为 1 µA
• 最大功率: 300 mW

该器件的封装形式为 6-TSSOP，SC-88，SOT-363，这种表面贴装型（SMD）封装设计使得在现代 PCB 设计中具有更高的集成度和更小的占板面积。

3. 应用场景

PUMD20,115 适用于多种电子应用，包括但不限于：

• 开关电路：此产品能够在较低的输入信号下控制较高的输出负载，适合用于开关电路和功率控制。
• 信号放大：在音频和视频信号处理中，可以用作信号放大器，以提高信号的强度。
• 负载驱动：该晶体管可用于驱动小型负载，如LED灯、继电器和其他小型电机。
• 低功耗应用：由于其较低的饱和压降和集电极电流，PUMD20,115 适合用于电池供电的便携设备。

4. 性能特点

PUMD20,115 的设计考虑到了现代电子设备的需求，具有以下突出性能：

• 高增益：DC 电流增益（hFE）在负载电流较小的情况下仍能保持在 30，确保了较强的放大能力。
• 低饱和压降：150 mV 的最大饱和压降使其在开关应用中非常高效，降低了功耗和热量损耗。
• 高输入阻抗：由于内部电阻配置，PUMD20,115 在基极输入端表现出较高的输入阻抗，从而降低了对外围电路的要求。

5. 包装与交付

PUMD20,115 采用卷带（TR）包装，方便自动化焊接和批量生产，满足现代电子产业高效的生产需求。每个物流单元都经过严格测试，以确保质量和性能的一致性。

6. 总结

Nexperia 的 PUMD20,115 是一款集成了高效 NPN 和 PNP 晶体管的数字晶体管，具备了良好的电流增益、低功耗特点和适应性广泛的应用场景。无论是在开关电路、信号放大还是负载驱动领域，PUMD20,115 都能提供卓越的性能。凭借其紧凑的封装和良好的散热能力，PUMD20,115 成为设计现代电子设备的理想选择。