类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 5.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 280mΩ@10V,5.3A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 570pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 65pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFR9024TRPBF 是一款高性能的 P 通道MOSFET,采用先进的金属氧化物半导体技术,具有优异的开关性能和高效能设计。作为 VISHAY(威世)旗下的优质产品,该器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的场合。
电流和电压等级:
低导通电阻:
门限电压与驱动要求:
快速切换特性:
温度范围与功率耗散:
封装与安装:
IRFR9024TRPBF 优越的性能使其广泛应用于多个领域,如:
IRFR9024TRPBF 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,其具有宽广的电压和电流范围、低导通电阻、快速开关特性和稳定的高温工作能力,符合现代电子产品向高效、节能、稳定发展的趋势。作为 VISHAY(威世)产品线的一部分,其质量和可靠性得到了充分的认可,适合工程师们在各种应用场景中选用。设计师可以依赖 IRFR9024TRPBF 提供的高性能,优化电路设计,实现更高的能效和可靠性。
总之,IRFR9024TRPBF 是为追求性能与可靠性的电子产品设计师提供的理想选择。其全面的参数和出色的应用适应性,使其在激烈的市场竞争中,依然能够占据一席之地。