IRFR9024TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFR9024TRPBF

商品编码: BM0001384927
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-252-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.544g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;42W 60V 8.8A 1个P沟道 TO-252
库存 :
4979(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.8
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.8
--
100+
¥2.34
--
1000+
¥2.12
--
2000+
¥2.03
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR9024TRPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)280mΩ@10V,5.3A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)570pF
反向传输电容(Crss@Vds)65pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFR9024TRPBF手册

IRFR9024TRPBF概述

IRFR9024TRPBF 产品概述

产品简介

IRFR9024TRPBF 是一款高性能的 P 通道MOSFET,采用先进的金属氧化物半导体技术,具有优异的开关性能和高效能设计。作为 VISHAY(威世)旗下的优质产品,该器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的场合。

主要特性

  1. 电流和电压等级

    • 该器件的漏源电压(Vdss)高达 60V,使其适用于多种中高电压应用。
    • 连续漏极电流(Id)在 25°C 时达到 8.8A(Tc),提供了强大的输出能力。
  2. 低导通电阻

    • 在 10V 的栅极驱动电压下,该 MOSFET 的最大导通电阻(Rds(On))为 280 毫欧,尤其在 5.3A 时表现突出,显著降低了通断损耗,提升了系统的总体效率。
  3. 门限电压与驱动要求

    • Vgs(th) 的最大值为 4V @ 250µA,这意味着该器件具有较低的开启电压,适合低压驱动应用。
    • 最大驱动电压为 ±20V,为设计者提供了更为灵活的驱动方案。
  4. 快速切换特性

    • 该器件的栅极电荷(Qg)仅为 19nC @ 10V,有助于降低驱动电路的功耗,提高切换速度,适用于高频率开关应用。
  5. 温度范围与功率耗散

    • IRFR9024TRPBF 可在 -55°C 至 150°C 的极广工作温度范围内稳定运行,适用于严苛的环境条件。
    • 功率耗散能力高达 2.5W(Ta)及 42W(Tc),能够应对高负载条件。
  6. 封装与安装

    • 该器件采用 TO-252-3 表面贴装封装(D-Pak),具备良好的散热特性和便捷的安装方式,适合现代电子设备的设计需求。

应用场景

IRFR9024TRPBF 优越的性能使其广泛应用于多个领域,如:

  • 电源管理:适用于开关电源、DC-DC 转换器、线性稳压电源等,能够有效提升能量转换效率。
  • 自动化控制:能够用于电机驱动、电磁阀控制等工业自动化设备。
  • 便携设备:因其低导通电阻和高速开关特性,适合用于移动电子产品和绿色能效设备。

总结

IRFR9024TRPBF 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,其具有宽广的电压和电流范围、低导通电阻、快速开关特性和稳定的高温工作能力,符合现代电子产品向高效、节能、稳定发展的趋势。作为 VISHAY(威世)产品线的一部分,其质量和可靠性得到了充分的认可,适合工程师们在各种应用场景中选用。设计师可以依赖 IRFR9024TRPBF 提供的高性能,优化电路设计,实现更高的能效和可靠性。

总之,IRFR9024TRPBF 是为追求性能与可靠性的电子产品设计师提供的理想选择。其全面的参数和出色的应用适应性,使其在激烈的市场竞争中,依然能够占据一席之地。