类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@10V,9.6A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 150nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 250pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFP350PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,适用于各种工业应用、开关电源和其他高电压高电流环境。这款MOSFET采用TO-247-3封装,具备卓越的热管理性能,能够在高温和高压条件下稳定工作。由VISHAY(威世)公司生产,该器件以其高效能和可靠性著称,是现代电子电路设计中不可或缺的元器件之一。
电气规格:
驱动和控制:
温度和功率特性:
封装与安装:
IRFP350PBF MOSFET广泛应用于以下领域:
IRFP350PBF 是一款集高电压、高电流与优越热管理于一体的N沟道MOSFET,凭借其可靠的性能和卓越的电气特性,广泛适用于开关电源、逆变器及电机驱动等诸多领域。其高温工作稳定性和低导通电阻使其成为各类电源管理应用的理想选择,能够满足现代电子设备对高性能元器件的需求。通过使用IRFP350PBF,工程师能够设计出效率更高,功能更强大的电子电路,大幅提升产品的整体质量和市场竞争力。