晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 700mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 415mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@500mA,5V | 特征频率(fT) | 220MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 120mV@500mA,50mA |
PBSS5160U,115 是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT)。该元器件专为需要高效率和可靠性的电子电路设计而精心打造,适用于各种应用场景。
PBSS5160U,115适用于多种电子电路和系统,具体包括:
PBSS5160U,115 是一款性能卓越、应用广泛的PNP晶体管,凭借其出色的电气特性和小巧的封装设计,能够满足现代电子设计日益增加的可靠性与效率要求。无论是在消费电子、工业控制还是高频信号处理领域,PBSS5160U,115都将成为各类电子设备的理想选择,为设计工程师提供更大的灵活性与创造空间。