SI3552DV-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI3552DV-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET 阵列,具备 N 沟道和 P 沟道两种类型,主要用于电源管理和信号调理等领域。此器件的设计采用表面贴装技术(SMT),封装为 6-TSOP,能有效节省空间,适用于各种紧凑型电子设备。
二、主要参数
导通电阻与电流能力
- 此器件的导通电阻最大值为 105 毫欧,在额定电流 2.5A 和栅源电压 10V 下测得。这一低导通电阻意味着在高电流条件下,器件能有效减少功率损耗,提高效率。
- 该产品的连续漏极电流(Id)最大额定值为 2.5A,具有良好的电流处理能力,适合用于各种中等功率应用。
漏源电压
- SI3552DV-T1-GE3 的漏源电压(Vdss)为 30V,这使得该 MOSFET 能够在相对较高的电压工作环境中稳定运行,适用于多种直流和开关电源应用。
栅极电荷与驱动要求
- 此器件的栅极电荷(Qg)最大值为 3.2nC,当栅源电压为 5V 时测得。这一特性保证了器件在开关操作中所需的低驱动功耗,使其非常适合用于高频率的开关应用。
阈值电压
- 在 25°C 下,不同 Id 值时的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 1V(在 250µA 条件下的最小值)。这意味着该 MOSFET 在较低的栅源电压下即可导通,非常适合逻辑电平接口的设计需求。
温度范围
- SI3552DV-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),表示其在极端环境条件下的可靠性和稳定性,使其非常适合军事、航空航天和高可靠性工业应用。
三、应用场景
SI3552DV-T1-GE3 被广泛应用于诸如以下场景:
- 电源管理:该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、线性调节器和电源开关等应用,因其低导通电阻和高电流能力可提高电源效率。
- 信号开关:适用于各种信号开关电路,包括音频开关和视频开关,能够有效传输信号而不引入显著衰减。
- 电机驱动:在小功率电机驱动应用中,可作为驱动控制元件,确保电机在启动和运转过程中的稳定性和可靠性。
- 自动化设备:对逻辑电平门的支持使其适合用于传感器和控制电路,尤其是在自动化和物联网设备中。
四、总结
总的来说,SI3552DV-T1-GE3 是一款高度可靠的 N 和 P 沟道双 MOSFET 阵列,凭借其优越的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为众多电子设计师的理想选择。无论是在电源管理、信号处理还是自动化设备控制方面,该 MOSFET 都展现出了卓越的适应性,完美满足现代电子产品对高效、节能、高密度设计的需求。