类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 250mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@4.5V,250mA |
功率(Pd) | 350mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 15pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
RK7002BMHZGT116 是ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,采用 SOT-23 封装,专为提供高功率和高效率而设计。这款MOSFET具有卓越的导通性能和较低的导通电阻,使其非常适合于多种应用场景,包括开关电源、负载开关及其他低功耗、高密度布局的电子设备。
导通电阻: RK7002BMHZGT116 在不同的漏极电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 条件下,最大导通电阻为 2.4 欧姆,测试条件为 250mA 和 10V。这使得其在工作时可以有效减小功耗,提高系统整体效率。
驱动电压: 本MOSFET支持最低 2.5V 的栅源驱动电压以实现最小的导通电阻,最高支持 10V 的驱动电压以确保在宽广的工作条件下都能提供稳定的性能。
漏极电流: RK7002BMHZGT116 的连续漏极电流高达 250mA,在 25°C 的环境温度下,能稳定工作,适用于需要低功耗和小体积的场合。
漏源电压: 该MOSFET的漏源电压(Vdss)为 60V,这使得它能够广泛应用于需要较高电压的电路,从而满足各种工业及消费者电子产品的需求。
功率耗散: 最大功率耗散为 350mW(在环境温度 25°C 时),这保证了其在高负载情况下的安全性和稳定性。
输入电容: 在 25V 的条件下,输入电容 (Ciss) 最高可达 15pF,这一特性使得其在高频应用中能够保持良好的开关性能,降低开关损耗。
工作温度和额定值: RK7002BMHZGT116 可在最高 150°C 的结温下稳定工作,适应性强,能够满足不同环境条件的严苛应用。
RK7002BMHZGT116 采用 SOT-23 封装,这种小型封装不仅便于表面贴装(SMD)技术的使用,适合现代高密度电路板设计,同时也能有效节省PCB空间。这一特点使得该产品非常适合于便携式和小型电子设备,更能满足市场对小型化的需求。
RK7002BMHZGT116 在多种应用环境中表现出色,包括但不限于:
RK7002BMHZGT116 是一款集高性能与高可靠性于一体的 N 沟道MOSFET,适用于各种现代电子产品的开发与设计。依据其卓越的电气特性和灵活的应用范围,ROHM 将其定位为市场上表现出色的高功率开关元器件之一。无论是在工业设备、消费电子,还是在新兴的智能设备领域,该产品都展现出其卓越的价值和广泛的应用潜力。