
| 晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 直流电流增益(hFE) | 40@0.1mA,1.0V | 特征频率(fT) | 300MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |

产品名称: SMMBT3904LT1G
类型: NPN 晶体管
封装类型: SOT-23-3
品牌: ON Semiconductor (安森美)
SMMBT3904LT1G 是一款高性能的 NPN 三极管,专为各种电子应用设计,其频率跃迁可达到 300MHz,适合高频率开关电源、放大器和射频信号处理等领域。该三极管采用了表面贴装技术(SMT),便于自动化焊接和设计紧凑的电路板。
SMMBT3904LT1G 的多种性能参数使其在许多领域中得到广泛应用,主要包括:
SMMBT3904LT1G 采用 SOT-23-3 封装,这种小型化的设计使其能够实现密集的电路布局,适合现代电子设备的需求。同时,SOT-23 封装的热管理性能也有助于提升器件的使用寿命和可靠性。
SMMBT3904LT1G 是一款功能全面、适应性强的 NPN 三极管,通过其高性能参数和广泛的应用场景,满足了现代电子设计的需求。无论是在消费电子、工业自动化,还是在更为严苛的环境应用中,SMMBT3904LT1G 都能够提供可靠的性能,帮助工程师和设计师实现高效、低功耗的电路设计。选择 SMMBT3904LT1G,意味着选择了一款稳定、高效,并且具有良好市场口碑的电子元件。