类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28.5mΩ@10V,21A |
功率(Pd) | 91W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 59nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.69nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 100pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFR540ZTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能 N 通道 MOSFET,采用 D-Pak 封装(TO-252-3),适合各种电子应用中作为开关和放大器使用。该器件的电压和电流规格使其能够在多个领域中,如电源管理、电动机驱动和高频开关电源中,提供可靠的性能。
IRFR540ZTRPBF 的设计考虑到了高性能和高可靠性。首先,在高达 100V 的漏源电压下,它确保了在恶劣的电源条件下也能稳定工作。其次,其连续漏极电流能力为 35A,使得它在高功率应用中表现出色。
此外,其低导通电阻(Rds On),最大仅为 28.5 毫欧,能够有效减少能量损耗,提高整体效率。这一特性特别适合于高频率和高开关速度的应用场景,能够降低热量产生,并提高系统的整体稳定性。
IRFR540ZTRPBF 可广泛应用于以下领域:
IRFR540ZTRPBF 是一款具有卓越性能的 N 通道 MOSFET,适合在电源管理、电动机驱动和各种工业应用中使用。其优越的电气特性和广泛的应用场景使其成为现代电子设计中的理想选择,是工程师们在设计高效能、低功耗电路时的重要组件。选择 IRFR540ZTRPBF,不仅可以提高产品的性能,还能够提升系统的整体效率和稳定性。