晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 65V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 90@10uA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,5.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: SBC846ALT1G
类型: NPN 晶体管
封装: SOT-23-3(TO-236)
品牌: ON Semiconductor(安森美)
SBC846ALT1G 是一款高性能的NPN晶体管,专为低功耗应用设计。它提供了诸如高集电极电流、宽工作电压范围以及出色的增益特性等重要参数,适用于多种电子电路的设计。得益于其表面贴装(SMD)封装,能够在空间受限的应用中提供灵活的安装选择,符合现代PCB设计的需求。
最大集电极电流 (Ic):100mA
SBC846ALT1G 支持高达100毫安的集电极电流,能够满足大多数小功率放大和开关应用的需求。
最大集射极击穿电压 (Vce):65V
该晶体管在最大集射极击穿电压为65V的条件下运行,使其具备良好的耐压能力,适合高电压应用场景。
饱和压降 (Vce(sat)):600mV
在5mA和100mA的Ib、Ic条件下,该晶体管的最大饱和压降为600mV,表明其在开关状态下的功耗较低,适用于高效能电路设计。
截止电流 (ICBO):15nA
较低的集电极截止电流特性使得 SBC846ALT1G 在关闭状态下呈现出极高的稳定性和可靠性。
直流电流增益 (hFE):110
在2mA与5V的条件下,SBC846ALT1G 提供不低于110的电流增益,使其在微弱信号放大方面具有良好的性能。
最大功率 (Ptot):300mW
该器件具有300mW的最大功率额定值,因此可以在多种功率应用中安全可靠地运行。
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
SBC846ALT1G可在极端环境中工作,适用于高温及低温设备。
最大频率:100MHz
该晶体管在100MHz的频率下依然保持良好的工作性能,适合高频信号的应用。
SBC846ALT1G 可广泛应用于以下领域:
SBC846ALT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)封装,具备以下优点:
SBC846ALT1G 是一款性能优越的NPN 晶体管,结合高集电极电流能力、低饱和压降以及优秀的增益特性,适合多种电子应用。无论是在音频设备、信号处理还是移动设备中,其出色的工作温度范围和频率响应都能确保其在严苛环境下的正常运作。选择 SBC846ALT1G,将能为您的设计提供可靠的解决方案。