类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 150A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 375W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 151.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 10.68nF@40V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF@40V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品概述:Vishay Siliconix SUM60020E-GE3 N沟道MOSFET
Vishay Siliconix的SUM60020E-GE3是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效率电源管理和开关应用设计,具有出色的电流承载能力和热管理性能。其卓越的参数使其适用于各种需要高功率和高电压管理的工业、汽车和消费电子产品。
SUM60020E-GE3 MOSFET的高可靠性与出色的电子特性使其适用于多种应用,包括但不限于:
电源管理:在DC-DC转换器和高效电源开关应用中,作为主要开关器件,能够有效提高系统效率。
电动汽车:广泛应用于电动汽车电池管理系统、高压电源模块及电动驱动控制,符合电动汽车对高性能器件的需求。
工业控制:用于工业自动化和各种电机驱动系统,能够在恶劣环境下提供高功率转换和电流控制。
消费电子产品:在计算机、服务器、游戏机等产品中充当高效开关,以提高电源部件的性能和寿命。
Vishay Siliconix的SUM60020E-GE3 N沟道MOSFET凭借其优异的电气特性、高功率密度和广泛的工作温度范围,是实现高效能转换和可靠电源管理的理想选择。其坚固的构造与卓越的散热能力,使其在各种苛刻的应用场景中都表现出色,为设计人员提供了可依赖的解决方案。