类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 50V |
连续漏极电流(Id) | 210mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@4.5V,0.22A |
功率(Pd) | 340mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.1nC@25V | 输入电容(Ciss@Vds) | 38pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.5pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS138W 是一款高性能 N 通道 MOSFET,专为各种低功耗和高效率应用而设计,具备出色的电气特性和温度稳定性。它采用 SC-70(SOT-323)封装,适合表面贴装(SMD)方案,尤其适用于空间有限的电子设备。作为安森美(ON Semiconductor)推出的高品质器件,BSS138W 在多个领域中的表现都十分出色,包括便携式设备、工业控制系统及消费电子产品等。
BSS138W 的设计和特性使其适合广泛的应用场景,包括但不限于:
BSS138W 采用表面贴装类型,适合高密度PCB设计。在焊接时,要注意以下几点:
BSS138W 以其出色的电气特性、高温工作范围和小型化封装,成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在低功耗和高效率要求的设备中,还是在要求稳定性的严苛环境下,它都能提供理想的性能。随着电子产品的不断发展和需求增多,BSS138W 将继续发挥其关键作用,助力各类应用的成功实现。