IRFR4104TRPBF 产品实物图片
IRFR4104TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFR4104TRPBF

商品编码: BM0033520904
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
0.457g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 40V 42A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4
--
100+
¥3.33
--
1000+
¥3.03
--
2000+
¥2.9
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR4104TRPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)42A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5mΩ@10V,42A
功率(Pd)140W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)89nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.95nF
反向传输电容(Crss@Vds)370pF工作温度-55℃~+175℃

IRFR4104TRPBF手册

IRFR4104TRPBF概述

IRFR4104TRPBF 产品概述

1. 产品简介

IRFR4104TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),由全球知名的半导体制造商英飞凌 (Infineon) 生产。该器件专为需要高功率和高效率的应用设计,常见于电源管理、马达控制以及各种工业和消费电子设备中。其高达 40V 的漏源电压和 42A 的持续漏极电流能力,使其在众多场景下都能出色表现。

2. 关键参数

  • 漏源电压 (Vdss): 40V
  • 持续漏极电流 (Id): 42A(25°C 时)
  • 导通电阻 (Rds On): 最大 5.5 毫欧 @ 42A,10V
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA
  • 驱动电压: 最小 Rds On 用于 10V
  • 栅极电荷 (Qg): 最大 89nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss): 最大 2950pF @ 25V
  • 功率耗散: 最大 140W (Tc)
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C
  • 封装类型: TO-252-3 (D-Pak)

3. 应用领域

IRFR4104TRPBF 是针对高功率应用的理想选择,适用于如下领域:

  • 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器和电压调节器中,MOSFET 的快速开关能力和低导通电阻使其实现高效率的能量转换。
  • 马达驱动: 在电动机驱动和控制场合,高电流能力和优良的热性能使其能够有效地调节电机的运行条件。
  • 消费电子: 如LED驱动、充电器等场景中,IRFR4104TRPBF 可以有效节能并延长设备的使用寿命。

4. 性能特点

IRFR4104TRPBF 具有多项显著的性能优势:

  • 低导通电阻: 最大导通电阻仅为 5.5 毫欧,能够降低功耗,提高效率,适合高电流应用。
  • 宽工作温度范围: 能够在 -55°C 至 175°C 的极端环境下稳定工作,尤其适合航空航天和工业设备等应用。
  • 高功率处理能力: 最大功耗达到 140W,使其在要求严苛的应用中也能稳定运行。
  • 优异的开关性能: 89nC 的栅极电荷意味着快速开关特性,能够实现更高的开关频率,有利于提升系统整体性能。

5. 封装与安装

IRFR4104TRPBF 采用 D-Pak (TO-252-3) 封装,这种表面贴装型封装不仅提供良好的散热性能,还便于自动化生产线的使用,适合现代电子产品设计时对体积和散热的双重考虑。它的两引线加接片设计提升了设备的连接可靠性。

6. 结论

综合来看,IRFR4104TRPBF 以其优异的电气特性和热管理能力,成为高性能电源和马达控制应用的理想选择。对于寻求高可靠性和高效能的电子设计工程师来说,它无疑是一个值得考虑的重要元件。无论是在工业电源转换,还是在复杂系统的电机驱动中,IRFR4104TRPBF 都能提供出色的解决方案,以满足各种高功率需求。选择 IRFR4104TRPBF,代表了对现代电子设备性能和可靠性的追求。