类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5mΩ@10V,42A |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 89nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.95nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 370pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFR4104TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),由全球知名的半导体制造商英飞凌 (Infineon) 生产。该器件专为需要高功率和高效率的应用设计,常见于电源管理、马达控制以及各种工业和消费电子设备中。其高达 40V 的漏源电压和 42A 的持续漏极电流能力,使其在众多场景下都能出色表现。
IRFR4104TRPBF 是针对高功率应用的理想选择,适用于如下领域:
IRFR4104TRPBF 具有多项显著的性能优势:
IRFR4104TRPBF 采用 D-Pak (TO-252-3) 封装,这种表面贴装型封装不仅提供良好的散热性能,还便于自动化生产线的使用,适合现代电子产品设计时对体积和散热的双重考虑。它的两引线加接片设计提升了设备的连接可靠性。
综合来看,IRFR4104TRPBF 以其优异的电气特性和热管理能力,成为高性能电源和马达控制应用的理想选择。对于寻求高可靠性和高效能的电子设计工程师来说,它无疑是一个值得考虑的重要元件。无论是在工业电源转换,还是在复杂系统的电机驱动中,IRFR4104TRPBF 都能提供出色的解决方案,以满足各种高功率需求。选择 IRFR4104TRPBF,代表了对现代电子设备性能和可靠性的追求。