TPD1E0B04DPYR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

TPD1E0B04DPYR

商品编码: BM0033521183
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
X1SON-2(1x0.6)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
瞬态抑制二极管
库存 :
48(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
0.904
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.904
--
100+
¥0.624
--
500+
¥0.567
--
2500+
¥0.524
--
5000+
¥0.49
--
10000+
¥0.45
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

TPD1E0B04DPYR参数

反向截止电压(Vrwm)3.6V最大钳位电压19V
峰值脉冲电流(Ipp)1.7A@8/20us峰值脉冲功率(Ppp)15W
击穿电压6.7V工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
类型ESD

TPD1E0B04DPYR手册

TPD1E0B04DPYR概述

产品概述:TPD1E0B04DPYR 瞬态抑制二极管

简介

TPD1E0B04DPYR 是由德州仪器(Texas Instruments)制造的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门设计用于保护电子设备免受瞬态电压的损害。作为一种齐纳二极管,它在电路设计中扮演着至关重要的角色,能够有效保护敏感元器件免受电气过压现象的影响。特别适用于移动设备、消费电子、通信设备和工业应用,这款器件通过其卓越的电气性能和紧凑的封装形式,在现代电子设计中展现出显著优势。

电气特性

TPD1E0B04DPYR 的关键电气参数包括:

  • 反向断态电压:该器件在典型状态下的反向断态电压为3.6V,确保其在正常工作范围内提供稳定的电压支持。
  • 击穿电压:其最小击穿电压为6.7V,提供有效的瞬态电压抑制功能。此特性对于保护下游组件至关重要,尤其是在高压脉冲和电气干扰环境中。
  • 箝位电压:在不同的峰值脉冲条件下,该器件的最大箝位电压为19V,能够快速响应并限制瞬态电压幅度,防止造成器件损坏。
  • 峰值脉冲电流:具有1.7A的峰值脉冲承载能力(在10/1000µs脉冲下),确保其在极端条件下依旧能保持良好的性能。
  • 功率处理能力:该器件能够承受峰值脉冲功率高达15W,适合用于高能量瞬态的场合。

频率和电容特性

在1MHz的测试频率下,TPD1E0B04DPYR 具有0.15pF 的电容值。这种低电容特性使其在高速信号线上的使用得以保持信号完整性,防止考虑到过压保护时对数据传输造成的衰减和失真。

工作条件

TPD1E0B04DPYR 的工作温度范围为-40°C 至 125°C,使其能够在极端环境和多种工业应用中稳定运行,为设计工程师提供了高灵活性的选择。

表面贴装和封装

该器件采用X1SON-2(1x0.6)的表面贴装型封装,尺寸紧凑,有效地节省了PCB面积。0402(1006 公制)的封装形式也使其在高密度集成电路中能够轻松应用。这样的设计使得TPD1E0B04DPYR 在空间受限的情况下,仍能提供出色的性能和保护。

应用范围

TPD1E0B04DPYR 的广泛应用包括:

  • 移动设备:智能手机、平板电脑及其它便携式设备,确保在强电磁干扰环境下提供数据安全。
  • 消费电子:电视、音响等家用电器,保护脆弱的电路不受瞬态电压冲击。
  • 网络设备:路由器、交换机及其它通信设备,确保信号的稳定传输。
  • 工业控制:各种工业自动化设备,防止电气噪声对运行的干扰,并提高设备寿命。

总结

TPD1E0B04DPYR 瞬态抑制二极管结合了高效的电气性能与卓越的热适应性,适合现代电子产品的复杂需求。作为一个可靠的瞬态保护解决方案,它在保护敏感组件方面提供了令人信赖的保障,让设计工程师能够更加自信地进行创新设计。凭借其高峰值脉冲能力和小型封装,TPD1E0B04DPYR 无疑是市场上出色的瞬态电压抑制器件之一,适用于各种严苛的应用场景。