反向截止电压(Vrwm) | 3.6V | 最大钳位电压 | 19V |
峰值脉冲电流(Ipp) | 1.7A@8/20us | 峰值脉冲功率(Ppp) | 15W |
击穿电压 | 6.7V | 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
类型 | ESD |
简介
TPD1E0B04DPYR 是由德州仪器(Texas Instruments)制造的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门设计用于保护电子设备免受瞬态电压的损害。作为一种齐纳二极管,它在电路设计中扮演着至关重要的角色,能够有效保护敏感元器件免受电气过压现象的影响。特别适用于移动设备、消费电子、通信设备和工业应用,这款器件通过其卓越的电气性能和紧凑的封装形式,在现代电子设计中展现出显著优势。
电气特性
TPD1E0B04DPYR 的关键电气参数包括:
频率和电容特性
在1MHz的测试频率下,TPD1E0B04DPYR 具有0.15pF 的电容值。这种低电容特性使其在高速信号线上的使用得以保持信号完整性,防止考虑到过压保护时对数据传输造成的衰减和失真。
工作条件
TPD1E0B04DPYR 的工作温度范围为-40°C 至 125°C,使其能够在极端环境和多种工业应用中稳定运行,为设计工程师提供了高灵活性的选择。
表面贴装和封装
该器件采用X1SON-2(1x0.6)的表面贴装型封装,尺寸紧凑,有效地节省了PCB面积。0402(1006 公制)的封装形式也使其在高密度集成电路中能够轻松应用。这样的设计使得TPD1E0B04DPYR 在空间受限的情况下,仍能提供出色的性能和保护。
应用范围
TPD1E0B04DPYR 的广泛应用包括:
总结
TPD1E0B04DPYR 瞬态抑制二极管结合了高效的电气性能与卓越的热适应性,适合现代电子产品的复杂需求。作为一个可靠的瞬态保护解决方案,它在保护敏感组件方面提供了令人信赖的保障,让设计工程师能够更加自信地进行创新设计。凭借其高峰值脉冲能力和小型封装,TPD1E0B04DPYR 无疑是市场上出色的瞬态电压抑制器件之一,适用于各种严苛的应用场景。