SISA10DN-T1-GE3

产品概述：SISA10DN-T1-GE3

简介

SISA10DN-T1-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET 场效应管，专为电源管理和高电流应用设计。由全球知名的电子元器件制造商VISHAY（威世）生产，该产品采用先进的 PowerPAK® 1212-8 表面贴装封装，具有出色的热管理性能和电气特性，使其非常适合于各种工业及消费电子设备中。此产品的额定电压为30V，最大连续漏极电流为30A，能够满足高电流和高效率的需求。

关键参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 25°C 时的连续漏极电流 (Id): 30A (Tc)
• 驱动电压: 支持 4.5V 到 10V 的驱动电压，确保具有最低的导通电阻（Rds(on)）。
• 导通电阻: 在 Vgs = 10V，Id = 10A 时，最大导通电阻为 3.7 毫欧，这意味着在大电流情况下的功率损耗非常低，能有效提高系统的能效。
• 开启阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为2.2V，这使得该器件能够在较低的栅源电压下启动，适用于多种驱动条件。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为51nC，适合快速开关应用，减少开关损耗。
• 最大 Vgs: +20V，-16V，使其能够在各种环境条件下稳定工作。
• 输入电容 (Ciss): 在 15V 下的最大值为2425pF，适合高频率应用。
• 最大功率耗散: 3.6W（环境温度）及 39W（结温），能够承受较大的热负荷。

工作环境

SISA10DN-T1-GE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，能够在极端环境下工作，使其适用于汽车、航空及工业控制等高要求应用。强大的热管理特性确保该器件在高温环境中仍能稳定运行。

封装与安装

该器件采用 PowerPAK® 1212-8 封装，具有良好的散热性能与辐射特性，适合表面贴装（SMD）应用。紧凑的封装设计使其能够在有限的空间内实现高功率密度，特别适合小型化电子产品的设计需求。

应用领域

SISA10DN-T1-GE3 的设计使其非常适合多个应用场景，包括但不限于：

• 开关电源
• 电机驱动
• DC-DC 转换器
• 封装温控系统
• 能量收集和管理系统
• 自动化设备和工业控制系统

总结

综上所述，SISA10DN-T1-GE3 是一款具有卓越性能的 N 通道 MOSFET，适合要求高功率、低导通电阻和宽工作温度范围的应用。凭借其先进的制造技术和强大的电气特性，它是电源管理及其它高电流应用的理想选择。VISHAY 的这一产品凭借其可靠性与性能，为设计工程师提供了强有力的解决方案，助力他们满足当今电子市场日益增长的需求。