类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 375mΩ@10V,7A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 32nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.5pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP15N80K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 通道 MOSFET,其为现代电子电路设计提供了可靠的功率管理解决方案。该元器件具备出色的电气性能,特定应用中可实现高效能和高可靠性,是在电源转换、开关电源、逆变器及电机驱动等领域的理想选择。
STP15N80K5 的关键电气参数包括:
STP15N80K5 采用TO-220封装,这种封装形式不仅便于通孔安装,还提供了良好的散热性能。TO-220 封装内置散热片,可直接与散热器接触,有助于元器件在高负载和高温环境下的稳态操作,确保效率最大化和器件寿命延长。
由于其高耐压、高电流承载能力及优异的热管理性能,STP15N80K5 在众多应用中展示了广泛的适用性,具体应用包括:
STP15N80K5 作为意法半导体的高品质产品,结合了高电压承受能力、低导通电阻和高电流承载能力,其性能指标使其在功率开关和转换应用中极具竞争力,特别是在需要高效率和高性能的环境下。
STP15N80K5 N 通道 MOSFET 在电力电子领域提供了兼具性能与耐用性的解决方案。凭借其强大的参数特性和广泛的应用场景,STP15N80K5 无疑是提升电子设计可靠性和效率的一个出色选择。对于设计师和工程师而言,选择 STP15N80K5 将为其项目赋予更强的性能和稳定性。