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BYT56M-TAP

- 商品编码: BM0041824378复制
- 品牌: VISHAY(威世)复制
- 封装: SOD-64复制
- 包装: -
- 重量: 0.84g复制
- 描述: 雪崩二极管 1.4V@3A 1kV 5uA@1kV 3A复制
BYT56M-TAP参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
| 整流电流 | 3A |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 80A |
| 正向压降(Vf) | 1.4V@3A |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 反向电流(Ir) | 5uA@1kV |
| 反向恢复时间(Trr) | 100ns |
| 雪崩能量(非重复) | 10mJ |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
BYT56M-TAP手册
BYT56M-TAP概述
BYT56M-TAP 产品概述
概述
BYT56M-TAP 是一款由威世(VISHAY)推出的高性能雪崩二极管,专为高电压和高电流应用而设计。其主要特点包括具备高达1000伏的反向电压承受能力、平均整流电流可达3安培,以及较低的正向压降。这一系列特性使得BYT56M-TAP 在电压敏感和电流要求严苛的电力电子装置中表现出色。
主要规格
- 类型:雪崩二极管
- 最大反向直流电压(Vr):1000V
- 平均整流电流(Io):3A
- 正向电压(Vf):1.4V @ 3A
- 反向恢复时间(trr):100ns
- 反向泄漏电流:5µA @ 1000V
- 安装类型:通孔(Through Hole)
- 封装类型:SOD-64,轴向
- 工作结温:-55°C ~ 175°C
功能特性
- 高电压设计:BYT56M-TAP 的设计允许其在极高的电压条件下稳定运行,最大反向电压高达1000V,适用于电网及电源模块等高电压应用场景。
- 高整流能力:该二极管可以承受高达3A的平均整流电流,使得它非常适合应用于需要较大电流的电路,如整流器、充电器和电源适配器。
- 快速恢复特性:其反向恢复时间短于100ns,使得该器件能够在高频率应用中实现稳定的性能,适合用于高频开关电源和OBC(车载充电器)等需要快速开关的领域。
- 低正向压降:正向电压为1.4V @ 3A,相对较低的正向压降有助于提高电源效率,降温并减少能量损耗。
应用场景
这个二极管由于其优越的性能,广泛应用于多种领域,包括但不限于:
- 电源管理:用于功率因数校正(PFC)和直流-直流转换器(DC-DC),提高整体电源的效率和稳定性。
- 整流电路:可作为整流器中的主要元件,以实现高效整流,尤其是在高频开关电源设计中。
- 保护电路:由于其雪崩特性,BYT56M-TAP 常用于电压过载保护装置,帮助设备避免电压尖峰造成的损害。
- 电动汽车及可再生能源:该二极管能够支持电动汽车的充电系统和可再生能源系统中的逆变器,适应高功率和高电压环境。
封装与安装
采用SOD-64封装,使得BYT56M-TAP 在尺寸和散热性能上都表现良好。该通孔安装方式不仅简化了生产过程,还为设备设计提供了更大的灵活性,使其能够方便地集成到各种电路板上。此封装方式还能够满足高电流应用和高温环境下的性能需求。
结论
综上所述,BYT56M-TAP 是一款性能卓越的雪崩二极管,具有高电压、高电流、快速恢复、低正向压降等优点,适用于广泛的应用场景,特别是在高效电源系统和高电压保护中。无论是在传统的电源设备还是现代的电动汽车、可再生能源领域,该器件均能大幅提升系统性能并保障可靠性。选择BYT56M-TAP,您将获得值得信赖的电子元器件,助力未来的技术开发与创新。
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