正向压降(Vf) | 1.4V@3A | 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
整流电流 | 3A | 反向电流(Ir) | 5uA@1kV |
反向恢复时间(Trr) | 100ns | 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 80A |
雪崩能量(非重复) | 10mJ | 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
BYT56M-TAP 是一款由威世(VISHAY)推出的高性能雪崩二极管,专为高电压和高电流应用而设计。其主要特点包括具备高达1000伏的反向电压承受能力、平均整流电流可达3安培,以及较低的正向压降。这一系列特性使得BYT56M-TAP 在电压敏感和电流要求严苛的电力电子装置中表现出色。
这个二极管由于其优越的性能,广泛应用于多种领域,包括但不限于:
采用SOD-64封装,使得BYT56M-TAP 在尺寸和散热性能上都表现良好。该通孔安装方式不仅简化了生产过程,还为设备设计提供了更大的灵活性,使其能够方便地集成到各种电路板上。此封装方式还能够满足高电流应用和高温环境下的性能需求。
综上所述,BYT56M-TAP 是一款性能卓越的雪崩二极管,具有高电压、高电流、快速恢复、低正向压降等优点,适用于广泛的应用场景,特别是在高效电源系统和高电压保护中。无论是在传统的电源设备还是现代的电动汽车、可再生能源领域,该器件均能大幅提升系统性能并保障可靠性。选择BYT56M-TAP,您将获得值得信赖的电子元器件,助力未来的技术开发与创新。