DMP2160UFDB-7
DMP2160UFDB-7参数
| 类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@4.5V,2.8A |
| 功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.5nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 536pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 59pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2160UFDB-7手册
DMP2160UFDB-7概述
DMP2160UFDB-7 产品概述
产品简介
DMP2160UFDB-7 是一款高性能的双 P 沟道场效应晶体管（MOSFET），具备出色的电气特性和可靠的工作性能。该元器件特别设计用于逻辑电平开关应用，适用于各种低电压和高频率的电子电路，尤其是在通信、工业控制和消费电子产品中广泛应用。其高度集成的设计与紧凑的 U-DFN2020-6 封装使其在多种应用场合极具优势。
电气特性
DMP2160UFDB-7 的主要电气特性如下：
漏源电压（Vdss）: 最多可承载 20V 的漏源电压，适合于低电压应用环境。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境条件下，最大连续漏极电流可达 3.8A，使得该器件能够支持大电流负载。
导通电阻（Rds(on)）: 其最大导通电阻为 70 毫欧，测试条件为 2.8A 和 4.5V。这一极低的导通电阻有助于显著降低功耗并提高电路的整体效率。
栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 900mV（在 250µA 下测试），表明该元器件通过较小的栅电压便可开始导通，适合逻辑电平控制。
栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 条件下，栅极电荷最大为 6.5nC。较低的栅极电荷有助于提高开关速度，减少开关损耗。
输入电容（Ciss）: 在 10V 条件下，输入电容最大为 536pF，有助于提高动态响应能力，适合高频应用。
功率能力: 最大功耗可达 1.4W，提供稳定的工作性能与热管理。
工作温度范围: DMP2160UFDB-7 具备宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，确保在各种严苛环境下的可靠运行。
封装与安装信息: 采用 U-DFN2020-6（B 类）封装，该表面贴装型设计不仅节省空间，同时也简化了PCB布局设计。
应用领域
由于其卓越的电气参数和灵活的封装设计，DMP2160UFDB-7 可广泛应用于：
- 便携式电子设备: 如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
- 电源管理: 在DC-DC转换器及稳压电源中作为开关元件。
- 电机控制: 用于驱动低功率电机的开关电路。
- 电池供电应用: 如电池保护电路及负载开关。
- 通信设备: 在各种通信设备中起到信号开关的作用。
总结
DMP2160UFDB-7 是一款高效、可靠的双 P 沟道 MOSFET，在多种应用中展现出其优越的性能特征。凭借其紧凑的封装和卓越的电气特性，该产品成为设计师在选择开关元件时的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理应用中，DMP2160UFDB-7 的表现都能够满足并超越现代电子产品对性能的高标准要求。