DMP2040UFDF-7 产品实物图片
DMP2040UFDF-7 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP2040UFDF-7

商品编码: BM0051227741
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.8W 20V 13A 1个P沟道 UDFN2020-6
库存 :
2469(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.981
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.981
--
200+
¥0.754
--
1500+
¥0.655
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2040UFDF-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)13A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@4.5V,8.9A
功率(Pd)1.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.6nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)834pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)105pF@10V工作温度-55℃~+150℃

DMP2040UFDF-7手册

DMP2040UFDF-7概述

DMP2040UFDF-7 产品概述

一、产品简介

DMP2040UFDF-7 是一款由DIODES(美台)公司制造的P通道MOSFET场效应管,专为高效能功率管理应用而设计。其提供的电压和电流规格使其适用于多种电子设备,包括但不限于电源开关、负载驱动、智能家居产品及其他工业应用。

二、关键参数

  1. FET类型与技术

    • 该元件为P通道MOSFET,采用金属氧化物半导体技术。P通道设计允许高效的负载开启/关闭信号传递,适用于要求高控制电压的应用场景。
  2. 电压与电流特性

    • 漏源电压(Vdss)为20V,适合于低压电源开关应用。
    • 在25°C时,该MOSFET的连续漏极电流(Id)可达到13A,提供了良好的电流处理能力,适用于高功率需求的电路。
  3. 导通电阻与驱动电压

    • 驱动电压范围为2.5V至4.5V。最低Rds(on)在不同的电流和栅极电压下是关键参数,最大导通电阻为32毫欧(@8.9A,4.5V),有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  4. 栅极阈值电压(Vgs(th))

    • 在250µA时,最大栅极阈值电压(Vgs(th))为1.5V,确保其在低压操作时仍能够正常工作,这对现代低功耗设计尤为重要。
  5. 功率耗散与耐受温度

    • 该器件具有1.8W的功率耗散能力,工作温度范围广泛,从-55°C到150°C(最大结温TJ),适合在苛刻环境条件下使用。
  6. 电容特性

    • 输入电容(Ciss)在10V时最大值为834pF,这一参数对于高频应用尤其重要,能够确保快速开关能力,从而提高整体响应速度。

三、物理特性与封装

DMP2040UFDF-7采用U-DFN2020-6裸露焊盘封装,这种封装方式可以有效降低封装引入的热阻,使元件具有更好的散热性能。它的表面贴装型设计有助于简化PCB布局,适合自动化生产工艺,并有效节省空间。

四、应用场景

由于其出色的电气性能,DMP2040UFDF-7广泛应用于诸如:

  • 高效电源开关
  • 计算机及外围设备
  • 移动设备电源管理
  • LED照明驱动
  • 电机控制与驱动

这些应用需要高密度电路设计以及较低功耗,DMP2040UFDF-7正好满足这些要求。

五、总结

DMP2040UFDF-7是一款高效能的P通道MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。凭借其高电流承载能力、低导通电阻和耐高温的特点,它为各类电子产品提供了可靠的性能保障。想要实现高效能、高可靠性的产品设计,DMP2040UFDF-7是一个值得推荐的选择。