类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@4.5V,8.9A |
功率(Pd) | 1.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.6nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 834pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2040UFDF-7 是一款由DIODES(美台)公司制造的P通道MOSFET场效应管,专为高效能功率管理应用而设计。其提供的电压和电流规格使其适用于多种电子设备,包括但不限于电源开关、负载驱动、智能家居产品及其他工业应用。
FET类型与技术:
电压与电流特性:
导通电阻与驱动电压:
栅极阈值电压(Vgs(th)):
功率耗散与耐受温度:
电容特性:
DMP2040UFDF-7采用U-DFN2020-6裸露焊盘封装,这种封装方式可以有效降低封装引入的热阻,使元件具有更好的散热性能。它的表面贴装型设计有助于简化PCB布局,适合自动化生产工艺,并有效节省空间。
由于其出色的电气性能,DMP2040UFDF-7广泛应用于诸如:
这些应用需要高密度电路设计以及较低功耗,DMP2040UFDF-7正好满足这些要求。
DMP2040UFDF-7是一款高效能的P通道MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。凭借其高电流承载能力、低导通电阻和耐高温的特点,它为各类电子产品提供了可靠的性能保障。想要实现高效能、高可靠性的产品设计,DMP2040UFDF-7是一个值得推荐的选择。