晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 35mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 12V | 功率(Pd) | 250mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 70@10mA,8V | 特征频率(fT) | 8GHz |
集电极截止电流(Icbo) | 30nA | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
一、产品简介 BFR182WH6327XTSA1是一款高性能的NPN型三极管,专为射频(RF)应用而设计。该器件由国际知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)推出,具有卓越的工作可靠性和稳定性,适合用于各种电子设备的放大及开关电路。凭借其优越的电气特性和紧凑的SOT-323封装,BFR182WH6327XTSA1在现代电子设计中得到了广泛应用。
二、基本参数
噪声系数:0.9dB ~ 1.3dB (900MHz ~ 1.8GHz)
BFR182在常用频率范围内表现出极低的噪声系数,使其特别适合于低噪声放大器(LNA)设计。
增益:19dB
该三极管具有较高的电压增益,使得在信号放大应用中可以有效提高信号强度。
最大集射极击穿电压:12V
该特性确保了BFR182在高电压环境下的使用安全,适合多种应用场景。
集电极电流(Ic):最大35mA
高集电极电流允许设备在较大的功率输出范围内正常工作,适合于功率放大器应用。
工作温度范围:高达150°C
这一高温特性使得BFR182在极端环境条件下依然能够稳定工作,非常适合需要高温工作的场合,如汽车电子。
频率跃迁:高达8GHz
该特性使得BFR182在高频信号处理方面表现优秀,适合用于现代通信系统中的射频放大和开关电路。
三、封装与安装 BFR182WH6327XTSA1采用了SOT-323封装,具有小型化的设计,符合表面贴装(SMD)技术。这种封装类型不仅减少了PCB的占用面积,同时也提高了元器件在高频工作时的性能稳定性。SOT-323封装适用于自动化贴片生产,方便批量生产和组装。
四、应用场景 由于其出色的电气性能,BFR182WH6327XTSA1广泛应用于以下领域:
五、总结 BFR182WH6327XTSA1结合了卓越的电气性能和小巧的封装设计,是射频及微波应用中的理想选择。其低噪声、高增益及高工作温度特点使其能够应对各种挑战,满足现代电子产品对性能和可靠性的高要求。无论是用于专业通信设备还是民用电子产品,BFR182都将为用户提供令人满意的性能。