IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
集电极电流(Ic) | 20A | 功率(Pd) | 150W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.5V@15V,10A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 64nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 168ns |
导通损耗(Eon) | 0.19mJ | 关断损耗(Eoff) | 0.16mJ |
反向恢复时间(Trr) | 72ns | 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
IKD10N60RFATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有600V的最高集射极击穿电压(Vce)和最大电流(Ic)额定值为20A。此器件采用表面贴装(SMD)封装类型TO-252-3(DPAK),专为高效能功率转换应用而设计。它的独特性能使其在电源管理、可再生能源系统、以及工业自动化领域得到广泛应用。
IKD10N60RFATMA1 具有出色的电子性能,关键参数包括:
IKD10N60RFATMA1的输入类型为标准输入,这使得其与大多数标准驱动器兼容,简化了电路设计。其栅极电荷为64nC,反映出开关速度与驱动功耗之间的良好平衡。
在开关特性方面,IKD10N60RFATMA1表现优异:
IKD10N60RFATMA1 适用多种高性能应用,例如:
IKD10N60RFATMA1 是一款具备多种优势的IGBT产品,其卓越的电气特性和广泛的适用性,使其成为高效能功率电子设计的理想选择。无论是在高温环境下和极限条件下,其优异的性能都能提供可靠支持,为各种工业应用及可再生能源系统提供了重要的元件保障。无论是电源管理还是电动汽车,IKD10N60RFATMA1 都是用户在设计时值得考虑的重要元器件。