类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 338A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4mΩ@10V,100A |
功率(Pd) | 375W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 354nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 12.96nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 760pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品名称: IRFS7530TRL7PP
品牌: 英飞凌(Infineon)
类型: N沟道MOSFET
封装类型: TO-263-7
应用领域: 开关电源、DC-DC转化器、电动汽车、工业控制、以及高效能电源管理系统等。
IRFS7530TRL7PP 是英飞凌公司出品的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要技术规格包括:
该器件采用TO-263-7封装设计,结合表面贴装技术,提供良好的散热性能和安装便利性。该封装不仅有效利用了板级空间,同时也兼顾了器件的散热管理能力。
IRFS7530TRL7PP的输入电容(Ciss)在25V时为12960pF,极低的输入电容使其能够快速开关,适合高速开关应用。栅极电荷(Qg)最大值为354nC @ 10V,这使得驱动电路设计更加简便,降低了开关损耗。
此款MOSFET适用于多种电力电子应用,可在高电流和高频开关条件下发挥出色性能。其低Rds(on)和高热功耗处理能力,使得该器件在功率管理、汽车电子以及工业控制中日益受到青睐。
IRFS7530TRL7PP是一款具有高功率密度、高效能、宽工作温度范围的N沟道MOSFET,适合各种高频开关和功率管理应用。作为英飞凌的明星产品之一,它凭借卓越的电气特性和物理设计,为客户提供了高效的解决方案,助力现代电子应用的高效与安全。无论是在极端环境下工作,还是在高负载条件下,IRFS7530TRL7PP都展现出其优越的性能和可靠性,是现代电力电子设计中不可或缺的重要元器件之一。