极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 2.5A (8/20us) |
箝位电压 | 12V | 击穿电压(最小值) | 6.4V |
反向关断电压(典型值) | 5V (Max) | 类型 | 齐纳 |
单向通道 | 5 | 电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 6.4V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 12V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 2.5A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 25W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 16pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-666 |
PESD5V0L5UV,115 是由安世半导体(Nexperia)生产的一款高性能ESD(静电放电)保护二极管,主要采用SOT-666封装。该器件专为保护敏感电子元件免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响,广泛应用于消费电子和工业设备中,以提升设备的可靠性和耐用性。
极性与类型:PESD5V0L5UV,115 是一款单向齐纳二极管,具有不对称的瞬态电压抑制能力,专为反向电压保护设计。
电压规格:
脉冲电流:本产品能够承受的峰值脉冲电流(Ipp)为2.5A(在10/1000µs时),这使得它能够处理瞬态电流的快速波动,如在使用过程中常见的电压尖峰。
功率处理能力:其峰值脉冲功率为25W,可以应对较大的瞬态事件,适合用于各种应用场合。
频率特性:PESD5V0L5UV,115 在1MHz时的电容值为16pF,这一特性使得它在高频应用中具有较低的信号失真,适合用于RF和高速数字信号电路。
工作温度范围:其工作温度范围广泛,从-65°C到150°C,满足了不同环境下的应用需求。
小型封装:采用SOT-666封装,便于在紧凑的电路板空间中安装,同时有助于降低整体的电路占用面积。
PESD5V0L5UV,115 作为一款通用型ESD二极管,广泛应用于以下场景:
PESD5V0L5UV,115 是一款功能强大、性能可靠的静电放电保护微小器件,源自Nexperia的高品质制造背景,能够满足现代电子设备对可靠性和稳定性的严格要求。其在多种应用场景中的广泛适用性以及出色的电气性能,使其成为设计工程师推荐的优选。在设计产品时,确保选用合适的ESD保护器件是保障电子设备正常运作的重要措施之一,而 PESD5V0L5UV,115 则是实现这一目标的理想选择。