晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@1mA,6V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA,5mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
PUMT1,115是一款高性能PNP双极结晶体管(BJT),由知名电子元器件供应商Nexperia(安世半导体)生产。这款产品封装为6-TSSOP,具有紧凑的外形和优秀的电气性能,非常适合高频电路、信号开关与放大应用。在现代电子设备中,PUMT1,115被广泛应用于无线通信、音频放大器和各种开关电源等领域。
PUMT1,115主要应用于各类电子电路中,包括:
PUMT1,115是一款集成化高效能的PNP双极结晶体管,凭借其突出的电气性能和优越的工作特性,成为现代电子产品设计的理想选择。无论是在自动化控制系统、通信设备,还是在音频与视频应用中,PUMT1,115都能为工程师带来高效、可靠的解决方案。其优秀的技术参数和广泛的适用性,使得PUMT1,115在电子元器件市场中占据了一席之地。