晶体管类型 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.5V@1mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V | 输入电阻 | 100kΩ |
电阻比率 | 1 |
PEMD24,115 是一款高性能数字晶体管,专为集成电路和数字电子设备中的开关、放大及信号处理应用而设计。它具备一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,均为预偏置式结构,适用于常见的电子系统。这款晶体管采用SOT-666封装,且具备卓越的电气性能,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制系统中。
晶体管类型:
电气特性:
电流增益 (hFE):
电阻器配置:
封装及安装:
PEMD24,115的特性使其适用于多种应用:
PEMD24,115 是一款集成了两个预偏置晶体管的高效数字晶体管,其核心优势主要体现在低功耗、高效能和高度集成化方面,非常适合当前的电子设备设计需求。无论是在消费市场的智能设备,还是工业市场的控制系统中,PEMD24,115都能提供满意的解决方案,其在现代电子技术中的应用前景广阔。选择PEMD24,115,您将获得了一款兼具性能与效率的理想元器件。