晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 150V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@50mA,10V | 特征频率(fT) | 30MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 225mV@1A,200mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
PBHV8115T,215 是一款高性能的NPN型晶体管,广泛应用于各种电子电路中。它以其优异的电气特性和多功能性,成为设计工程师们在低功耗、高频应用中的理想选择。该器件由知名品牌Nexperia(安世)制造,并采用小型SOT-23封装,非常适合于空间有限的电路设计。
PBHV8115T,215的设计使其适用于广泛的应用,包括但不限于:
使用PBHV8115T,215的主要优势包括:
PBHV8115T,215是一款功能强大的NPN晶体管,适合用于各种高频和大功率的电子应用。其优秀的电气性能、可靠的工作温度和紧凑的封装设计,使其成为众多电子设计工程师和开发人员的首选元件。通过应用PBHV8115T,215,可以有效提升电路的性能与可靠性,为最终产品带来更好的用户体验和市场竞争力。无论是用于新产品开发还是现有产品更新,该器件都能提供极大的灵活性和高效性。