类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 80V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 2000@10V,500mA | 功率(Pd) | 1.3W |
集电极电流(Ic) | 1A | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.3V@500mA,500uA |
BST52,115 是一款高性能的 NPN 达林顿晶体管,采用 SOT-89 封装,专为高增益应用而设计。这款晶体管的最大集电极电流为 1A,最大电压为 80V,具有优秀的电流增益特性,尤其是在 500mA 和 10V 的条件下,其直流电流增益(hFE)可达到 2000。这使得 BST52,115 在需要高增益和高电流驱动的电路中表现出色。
BST52,115 在多个应用场景中表现优越,适合用于:
BST52,115 采用 SOT-89 表面贴装封装,这种封装形式能够有效节省空间,适合现代电子设备追求的小型化设计。设计师可以轻松将其集成到各种电路布局中,从而实现高密度组装。同时,其良好的热管理性能对于长时间稳定运行至关重要,确保在高工作温度下依然保持可靠性。
综上所述,BST52,115 NPN 达林顿晶体管是一个提供高增益、高电流输出和优秀热稳定性的理想选择。无论是在工业、家电还是消费电子领域,它都能够满足严苛的应用需求,并确保高效的电路性能。随着电子产品日益对效率和体积的双重要求,BST52,115 将会在未来的发展中继续处于技术的前沿,为多种应用提供可靠的解决方案。