IRFPS40N50LPBF
IRFPS40N50LPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 46A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 100mΩ @ 28A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 540W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 46A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 380nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8110pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 540W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | SUPER-247™（TO-274AA） |
| 封装/外壳 | TO-274AA |
IRFPS40N50LPBF手册
IRFPS40N50LPBF概述
IRFPS40N50LPBF 产品概述
IRFPS40N50LPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由著名的电子元件制造商 VISHAY（威世）生产。此器件专为高电压、大电流的应用而设计，具有出色的导通性能和高耐压特性，使其适合于各种电源管理和开关应用。
主要规格
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压额定值为 500V，这一特性使其能够在高压环境下稳定工作，是驱动高压功率转换器、逆变器等设备的理想选择。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，连续漏极电流可达 46A，适应许多高功率应用和高负载条件，确保设备长期稳定运行。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅源阈值电压为 5V @ 250μA，提供了足够的的灵敏度来控制 MOSFET 的开关状态，同时能有效抑制不必要的干扰。
导通电阻 (Rds(on)): 在 28A 和 10V 的条件下，漏源导通电阻仅为 100mΩ，这一特性极大地减少了导通损耗，提高了整体功率转换效率，尤其在开关电源和电动机驱动等场合中，能够显著降低发热量。
电流与功率耗散: 最大功率耗散为 540W（Tc），为设计提供了广泛的操作余量，能够满足严苛的工作条件，尤其适合工业和电力电子应用。
工作温度范围: IRFPS40N50LPBF 的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 150°C，使其在极端环境条件下保持可靠性，适应各种工业应用。
封装与安装
该 MOSFET 采用 TO-274AA（SUPER-247™）封装，为通孔安装类型，具有良好的热管理特性。此封装设计不仅支持高电流、热散失能力强，还为 PCB 布局提供了灵活性，适应多种设计需求。
应用场景
IRFPS40N50LPBF 非常适合多种应用场景，包括但不限于:
开关电源: 在 AC-DC 转换和 DC-DC 转换中，能够提供高效率和稳定的功率输出，尤其适合适用于服务器电源和工业电源模块。
逆变器: 适合用于太阳能逆变器、混合动力汽车和电动车的功率转换，能够在高电压和高效率的条件下运行。
电动机驱动: 用于调速电机、直流电动机控制和其他电机驱动应用中，以优化能耗和性能。
工控设备: 在各种工业控制和自动化设备中，该 MOSFET 能够满足对高电压、大电流的需求，提升整个系统的效率和可靠性。
总结
IRFPS40N50LPBF 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET，不仅具有优越的电气特性和广泛的工作温度范围，而且在多种现代电力电子应用中发挥重要作用。其出色的导通性能、稳定的高压工作能力以及可靠的长时间运行特性，使其成为设计工程师和电子制造商在构建高效电源和驱动系统时的首选。同时，VISHAY 的品牌背景也为其产品质量提供了强有力的保证。对于需要高效率和高安全性的应用，IRFPS40N50LPBF 是一个非常理想的电子元件选择。