晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 150mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@1mA,6V | 特征频率(fT) | 180MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA,5mA |
2SC5658T2LS 是由 Rohm Semiconductor 制造的一款高性能 NPN 晶体管,采用先进的表面贴装技术(SMD)封装,封装类型为 VMT3(SOT-723)。该器件专为需要高频操作和高电流增益的应用而设计,在多个电子电路中展现出了优异的性能。其主要特点包括适应高温环境的能力和出色的电气性能,使其成为消费电子、通信设备和工业控制电路等领域的理想选择。
2SC5658T2LS 的设计注重电源效率和信号放大能力。它的 Vce 饱和压降非常低,这意味着在集电极电流较高时仍能保持较高的效率。此外,它的 ICBO 达到 100nA,确保在关断状态时的漏电流极小,有助于提高系统的整体能效。
该产品的频率跃迁高达 180MHz,支持高频应用,适合用于 RF 放大器、振荡器和其他高频信号处理电路。它的 DC 电流增益达到 120,提供了强大的电流放大能力,使得在实际应用中能够有效驱动负载。
由于其卓越的性能,2SC5658T2LS 可广泛应用于:
综上所述,2SC5658T2LS 是一款性能出色的 NPN 晶体管,具备高频、低漏电流、高电流增益以及适用广泛的工作温度范围,充分满足现代电子设备对器件小型化、集成化和高效能的需求。在选择晶体管时,2SC5658T2LS 的优越规格参数和广泛应用潜力,无疑使其成为设计工程师的首选元器件之一。通过合理利用该器件,可以大幅提升电路产品的性能及效率,强化市场竞争力。