2SC5658T2LS 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SC5658T2LS

商品编码: BM0058399208
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN VMT-3
库存 :
6046(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.246
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.246
--
500+
¥0.165
--
4000+
¥0.144
--
8000+
¥0.13
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SC5658T2LS参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@1mA,6V特征频率(fT)180MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA,5mA

2SC5658T2LS手册

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2SC5658T2LS概述

产品概述:2SC5658T2LS NPN 晶体管

一、基本信息

2SC5658T2LS 是由 Rohm Semiconductor 制造的一款高性能 NPN 晶体管,采用先进的表面贴装技术(SMD)封装,封装类型为 VMT3(SOT-723)。该器件专为需要高频操作和高电流增益的应用而设计,在多个电子电路中展现出了优异的性能。其主要特点包括适应高温环境的能力和出色的电气性能,使其成为消费电子、通信设备和工业控制电路等领域的理想选择。

二、产品规格

  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 脚本状态:有源
  • 晶体管类型:NPN
  • 最大饱和压降 (Vce):400mV @ 5mA,50mA
  • 集电极截止电流 (ICBO):100nA
  • DC 电流增益 (hFE):最小 120 @ 1mA,6V
  • 频率 - 跃迁:180MHz
  • 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-723(VMT3)
  • 最大集电极电流 (Ic):150mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
  • 最大功率消耗:150mW

三、性能特征

2SC5658T2LS 的设计注重电源效率和信号放大能力。它的 Vce 饱和压降非常低,这意味着在集电极电流较高时仍能保持较高的效率。此外,它的 ICBO 达到 100nA,确保在关断状态时的漏电流极小,有助于提高系统的整体能效。

该产品的频率跃迁高达 180MHz,支持高频应用,适合用于 RF 放大器、振荡器和其他高频信号处理电路。它的 DC 电流增益达到 120,提供了强大的电流放大能力,使得在实际应用中能够有效驱动负载。

四、应用领域

由于其卓越的性能,2SC5658T2LS 可广泛应用于:

  1. 消费电子:用于音频放大器、视频信号处理等,提升音视频质量。
  2. 通信设备:在 RF 通信领域,该晶体管作为放大器可用于提高信号强度和传输质量。
  3. 工业控制:在电机控制、传感器接口和其它控制电路中,起到开关和放大的作用。
  4. 汽车电子:在各种传感器和控制电路中使用,增强电路的稳定性及响应速度。

五、总结

综上所述,2SC5658T2LS 是一款性能出色的 NPN 晶体管,具备高频、低漏电流、高电流增益以及适用广泛的工作温度范围,充分满足现代电子设备对器件小型化、集成化和高效能的需求。在选择晶体管时,2SC5658T2LS 的优越规格参数和广泛应用潜力,无疑使其成为设计工程师的首选元器件之一。通过合理利用该器件,可以大幅提升电路产品的性能及效率,强化市场竞争力。