
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
2SC5658T2LS

- 商品编码: BM0058399208复制
- 品牌: ROHM(罗姆)复制
- 封装: VMT-3复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.011g复制
- 描述: 三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN复制
2SC5658T2LS参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 150mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 特征频率(fT) | 180MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
2SC5658T2LS手册

2SC5658T2LS概述
产品概述:2SC5658T2LS NPN 晶体管
一、基本信息
2SC5658T2LS 是由 Rohm Semiconductor 制造的一款高性能 NPN 晶体管,采用先进的表面贴装技术(SMD)封装,封装类型为 VMT3(SOT-723)。该器件专为需要高频操作和高电流增益的应用而设计,在多个电子电路中展现出了优异的性能。其主要特点包括适应高温环境的能力和出色的电气性能,使其成为消费电子、通信设备和工业控制电路等领域的理想选择。
二、产品规格
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 脚本状态:有源
- 晶体管类型:NPN
- 最大饱和压降 (Vce):400mV @ 5mA,50mA
- 集电极截止电流 (ICBO):100nA
- DC 电流增益 (hFE):最小 120 @ 1mA,6V
- 频率 - 跃迁:180MHz
- 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-723(VMT3)
- 最大集电极电流 (Ic):150mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
- 最大功率消耗:150mW
三、性能特征
2SC5658T2LS 的设计注重电源效率和信号放大能力。它的 Vce 饱和压降非常低,这意味着在集电极电流较高时仍能保持较高的效率。此外,它的 ICBO 达到 100nA,确保在关断状态时的漏电流极小,有助于提高系统的整体能效。
该产品的频率跃迁高达 180MHz,支持高频应用,适合用于 RF 放大器、振荡器和其他高频信号处理电路。它的 DC 电流增益达到 120,提供了强大的电流放大能力,使得在实际应用中能够有效驱动负载。
四、应用领域
由于其卓越的性能,2SC5658T2LS 可广泛应用于:
- 消费电子:用于音频放大器、视频信号处理等,提升音视频质量。
- 通信设备:在 RF 通信领域,该晶体管作为放大器可用于提高信号强度和传输质量。
- 工业控制:在电机控制、传感器接口和其它控制电路中,起到开关和放大的作用。
- 汽车电子:在各种传感器和控制电路中使用,增强电路的稳定性及响应速度。
五、总结
综上所述,2SC5658T2LS 是一款性能出色的 NPN 晶体管,具备高频、低漏电流、高电流增益以及适用广泛的工作温度范围,充分满足现代电子设备对器件小型化、集成化和高效能的需求。在选择晶体管时,2SC5658T2LS 的优越规格参数和广泛应用潜力,无疑使其成为设计工程师的首选元器件之一。通过合理利用该器件,可以大幅提升电路产品的性能及效率,强化市场竞争力。
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