集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@2mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 47kΩ | 电阻比率 | 1.2 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
EMD4T2R是一款高性能数字晶体管,设计为一个NPN和一个PNP的预偏置双极性晶体管。它在各类电子应用中提供优异的电流放大性能,适合用于信号放大、开关控制与逻辑电路设计。EMD4T2R的最大集电极电流(Ic)为100mA,具有集射极击穿电压(Vce最大值)达到50V的能力,确保其在多种电压和电流条件下的可靠性和稳定性。
EMD4T2R适用于各种电子应用,包括但不限于:
EMD4T2R凭借其卓越的电气性能,能够在多种应用场景下提供稳定、可靠的工作表现。其设计着重于降低功耗与提高转速,确保在高频操作条件下能稳定工作。此外,表面贴装封装的特性,让它在更为紧凑、复杂的电路设计中也能发挥作用。
作为ROHM(罗姆)公司生产的一款先进数字晶体管,EMD4T2R在功率、增益和频率等多方面展现出卓越的性能。这款产品凭借其多样的应用场景和优越的参数,成为设计师和工程师在电子元器件选择时的重要候选。无论是在消费电子、工业设备还是通信产品中,EMD4T2R都能够提供高效、可靠的解决方案,助力各种电子设备的创新发展。