类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V,3.2A |
功率(Pd) | 2.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.28nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 630pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 78pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP3A17DN8TA 是一种高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为广泛的电子应用而设计,能够高效处理电源管理、开关电路及线性调节等任务。该器件由著名的电子元器件制造商 DIODES(美台)生产,具有优异的电气特性和出色的稳定性,适用于多种需求严苛的应用场景。
FET 类型和功能: ZXMP3A17DN8TA 为双 P 沟道 MOSFET,具备标准的功率开关特性,适合于低压电路的高效控制。每个通道都可以单独操作,方便实现多种电路控制。
电压和电流处理能力:它的漏源电压(Vdss)在 30V 范围内,确保能够在低压电路中安全工作。同时,在 25°C 环境温度下,连续漏极电流(Id)可达到 4.4A,表明其在实际应用中的高承载能力。
导通电阻和电流特性:该 MOSFET 的导通电阻(Rds(on))最大可达 70 毫欧,特别是在电流为 3.2A、栅源电压(Vgs)为 10V 的情况下,可以有效降低功耗和发热。此外,其漏源阈值电压(Vgs(th))最大值为 1V,确保在较低电压下也能快速导通。
栅极电荷及输入电容:ZXMP3A17DN8TA 的栅极电荷(Qg)在 Vgs 为 5V 时最大为 8.28nC,快速的开关速度使其在动态性能和频率响应上表现优异。而其输入电容(Ciss)在 Vds 为 15V 的情况下最大值为 630pF,能够有效控制信号传递。
功率处理能力及工作温度:该 MOSFET 的最大功率为 2.1W,适合于需要低功耗的设计需求。更为关键的是,其工作温度范围广泛,能够在 -55°C 到 150°C 的环境下稳定运行,使其适合于极端条件下的应用。
封装与安装方式:ZXMP3A17DN8TA 采用表面贴装的 SO-8 封装(尺寸为 0.154" 或 3.90mm 宽),这种封装形式不仅节省空间,便于自动化组装,且其良好的散热性能够有效提高器件的整体稳定性。
ZXMP3A17DN8TA 的特性使其广泛应用于多个领域,包括:
ZXMP3A17DN8TA 是一款性能优良的 P 沟道 MOSFET,凭借其理想的电流、电压特性和温度范围,成为设计工程师在模块化电源、驱动电路以及其它电子设备中不可或缺的元件。无论是在高频开关、功率转换还是信号处理等领域,它都能提供卓越的性能与可靠性,适合于现代电子设备的多样化需求。