ZXMP3A17DN8TA

ZXMP3A17DN8TA 产品概述

ZXMP3A17DN8TA 是一种高性能的 P 沟道场效应管（MOSFET），专为广泛的电子应用而设计，能够高效处理电源管理、开关电路及线性调节等任务。该器件由著名的电子元器件制造商 DIODES（美台）生产，具有优异的电气特性和出色的稳定性，适用于多种需求严苛的应用场景。

基本参数和特性

1. FET 类型和功能： ZXMP3A17DN8TA 为双 P 沟道 MOSFET，具备标准的功率开关特性，适合于低压电路的高效控制。每个通道都可以单独操作，方便实现多种电路控制。

2. 电压和电流处理能力：它的漏源电压（Vdss）在 30V 范围内，确保能够在低压电路中安全工作。同时，在 25°C 环境温度下，连续漏极电流（Id）可达到 4.4A，表明其在实际应用中的高承载能力。

3. 导通电阻和电流特性：该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）最大可达 70 毫欧，特别是在电流为 3.2A、栅源电压（Vgs）为 10V 的情况下，可以有效降低功耗和发热。此外，其漏源阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1V，确保在较低电压下也能快速导通。

4. 栅极电荷及输入电容：ZXMP3A17DN8TA 的栅极电荷（Qg）在 Vgs 为 5V 时最大为 8.28nC，快速的开关速度使其在动态性能和频率响应上表现优异。而其输入电容（Ciss）在 Vds 为 15V 的情况下最大值为 630pF，能够有效控制信号传递。

5. 功率处理能力及工作温度：该 MOSFET 的最大功率为 2.1W，适合于需要低功耗的设计需求。更为关键的是，其工作温度范围广泛，能够在 -55°C 到 150°C 的环境下稳定运行，使其适合于极端条件下的应用。

6. 封装与安装方式：ZXMP3A17DN8TA 采用表面贴装的 SO-8 封装（尺寸为 0.154" 或 3.90mm 宽），这种封装形式不仅节省空间，便于自动化组装，且其良好的散热性能够有效提高器件的整体稳定性。

应用领域

ZXMP3A17DN8TA 的特性使其广泛应用于多个领域，包括：

• 电源管理：在开关电源、线性稳压器和其它电源调节中，能够高效地控制电流流动，优化电能的使用。
• LED 驱动电路：作为驱动 LED 的开关元件，能够实时控制电流和亮度，增加电路效率。
• 自动化控制：在各种电机驱动和传感器应用中，ZXMP3A17DN8TA 提供可靠的开关能力，确保系统的高效运行。
• 消费电子：在电视机、音响系统和其它消费类电子产品中，该 MOSFET 提供的高效能保障了电子设备的性能和稳定性。

结论

ZXMP3A17DN8TA 是一款性能优良的 P 沟道 MOSFET，凭借其理想的电流、电压特性和温度范围，成为设计工程师在模块化电源、驱动电路以及其它电子设备中不可或缺的元件。无论是在高频开关、功率转换还是信号处理等领域，它都能提供卓越的性能与可靠性，适合于现代电子设备的多样化需求。