类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 16.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,5.1A |
功率(Pd) | 2.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.2nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 584pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
DMNH6042SSDQ-13 是一款高性能的 MOSFET(场效应管),适合于各种功率和开关应用。该器件采用 N-通道配置,具备两个独立的 N-沟道 MOSFET,允许在紧凑的 SO-8 表面贴装封装中集成高效率的功率开关功能。该器件的工作电压为 60V,连续漏极电流可达 16.7A,非常适合在电源管理、DC-DC 转换器及马达驱动等电路中使用。
电压和电流规格:
导通电阻与开关性能:
栅极电荷与静态电容:
功率承受能力和工作温度:
封装与安装:
DMNH6042SSDQ-13 主要适用于以下应用:
DMNH6042SSDQ-13 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,其优越的电气性能和宽广的工作温度范围,使其成为当今电子应用中的理想选择。无论是在高压、大电流的复杂电力转换场合,还是在每一个细节都要求高效和可靠性的应用环境中,DMNH6042SSDQ-13 都能发挥出色的性能,为设计师与工程师提供可靠的解决方案。