DMNH6042SSDQ-13 产品实物图片
DMNH6042SSDQ-13 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMNH6042SSDQ-13

商品编码: BM0058401567
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.16g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.1W 60V 16.7A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
3729(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.57
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.57
--
2500+
¥2.45
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMNH6042SSDQ-13参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)16.7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,5.1A
功率(Pd)2.1W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.2nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)584pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

DMNH6042SSDQ-13手册

DMNH6042SSDQ-13概述

DMNH6042SSDQ-13 产品概述

基本信息

DMNH6042SSDQ-13 是一款高性能的 MOSFET(场效应管),适合于各种功率和开关应用。该器件采用 N-通道配置,具备两个独立的 N-沟道 MOSFET,允许在紧凑的 SO-8 表面贴装封装中集成高效率的功率开关功能。该器件的工作电压为 60V,连续漏极电流可达 16.7A,非常适合在电源管理、DC-DC 转换器及马达驱动等电路中使用。

主要特性

  1. 电压和电流规格

    • 漏源电压(Vdss): 最高可承受 60V,能够满足多种高压应用需求。
    • 持续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,提供高达 16.7A 的连续电流,这使得该器件能够在高负载情况下可靠工作。
  2. 导通电阻与开关性能

    • 在 5.1A 与 10V 条件下,导通电阻(Rds(on))的最大值为 50 毫欧,这意味着该 MOSFET 在开启状态时能有效地减少功耗和热量生成。
    • Vgs(th)(栅源开启电压)最大值为 3V,确保在低电压驱动下能够高效开启。
  3. 栅极电荷与静态电容

    • 栅极电荷(Qg)在 4.5V 下的最大值为 4.2nC,表明该器件具备较低的驱动功耗,适合高速开关应用。
    • 输入电容(Ciss)最大值为 584pF,能够提供快速的开关响应,减少开关损耗。
  4. 功率承受能力和工作温度

    • 功率最大值为 2.1W,确保了良好的热管理性能,适合需要长时间运行的应用。
    • 工作温度范围宽广,从 -55°C 到 175°C ,可在极端环境条件下稳定工作,适合汽车、工业控制及航空航天等领域。
  5. 封装与安装

    • 采用 SO-8 表面贴装封装,尺寸紧凑(0.154" 或 3.90mm 宽),以符合现代电子产品日益小型化的趋势,使其易于在各种电路板上进行安装。

应用场景

DMNH6042SSDQ-13 主要适用于以下应用:

  • DC-DC 转换器:在开关电源中充当主开关,能够高效地转换电压水平。
  • 马达驱动:在电动机控制系统中提供强大的开关能力,能有效控制马达的启动与停止。
  • 电池管理系统:在充电与放电过程中提供高效电流控制,确保电池的安全与长寿命。
  • 功率放大器:在信号放大领域提供功率开关解决方案,提高系统的整体效率。
  • 汽车电子:满足汽车环境下的高要求,如启动控制、LED 驱动及各种传感器应用。

总结

DMNH6042SSDQ-13 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,其优越的电气性能和宽广的工作温度范围,使其成为当今电子应用中的理想选择。无论是在高压、大电流的复杂电力转换场合,还是在每一个细节都要求高效和可靠性的应用环境中,DMNH6042SSDQ-13 都能发挥出色的性能,为设计师与工程师提供可靠的解决方案。