DMT6004LPS-13
DMT6004LPS-13参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 22A；90A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,25A |
| 功率(Pd) | 2.1W；105W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 96.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.515nF@30V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMT6004LPS-13手册
DMT6004LPS-13概述
DMT6004LPS-13 产品概述
一、基本信息
DMT6004LPS-13是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N通道MOSFET（场效应管），广泛应用于各类电子设备的电源管理和信号调节场景。该器件采用PowerDI5060-8封装，具有优异的热管理性能和电气特性，适合多种高功率应用。
二、主要电气参数
漏极电流 (Id)：在25°C的环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流可达到22A，而在工作温度Tc下则可承受高达90A的电流。这使得DMT6004LPS-13在高负载应用中表现出色。
导通电阻 (Rds(on))：在10V的栅极驱动电压下，导通电阻最大为2.8毫欧，这是其在低电阻特性下的重要参数，有助于降低功耗并提高效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：随着漏极电流的变化，Vgs(th)最大值为3V（在250µA时量测），确保了在较低栅极电压下可以有效开启MOSFET。
最大漏源电压 (Vdss)：该器件支持最大60V的漏源电压，广泛适用于中压电源管理方案。
功率耗散 (P)：DMT6004LPS-13在环境温度Ta下的最大功率耗散为2.1W，而在Tc条件下则可以处理高达105W的功率，这使其适用于高热流密度的应用场合。
工作温度范围：器件在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内保持性能稳定，适合严苛的环境条件。
三、封装和安装
DMT6004LPS-13采用8-PowerTDFN（PowerDI5060-8）封装，具有紧凑的尺寸和卓越的热导性能，使其适合高密度电路板设计。表面贴装型（SMD）设计方便了自动化生产线的组装，减少了组装时间和成本。
四、应用场景
由于其高效的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，DMT6004LPS-13适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源和线性电源中，作为开关元件，提升电源转换效率。
- 电机驱动：在各类电动机驱动电路中，提供强大的功率支持。
- 电池管理系统：在移动设备和电动汽车中，进行有效的电池充放电控制。
- 高频开关应用：由于其低输入电容（最大值4515pF @ 30V），该器件特别适合高频率开关应用，降低开关损耗。
五、总结
DMT6004LPS-13凭借其优异的电气特性和可靠的工作性能，成为现代电子应用中不可或缺的重要元器件。尤其适合用于高效率电源管理、电动机控制、电池管理等领域，为设计师提供了一个高效、可靠的解决方案。其宽广的工作温度范围和低成本的封装设计使其在竞争激烈的市场中占据了一席之地，是广大工程师在产品设计中值得信赖的选择。