IRF740STRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF740STRLPBF

商品编码: BM0058402665
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-263-3
包装 : 
编带
重量 : 
2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W;125W 400V 10A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
18164(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
5.59
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.59
--
100+
¥4.47
--
800+
¥4.29
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF740STRLPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)6.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)550mΩ@10V,6.0A
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.4nF
反向传输电容(Crss@Vds)120pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRF740STRLPBF手册

IRF740STRLPBF概述

产品概述:IRF740STRLPBF

基本信息

IRF740STRLPBF是一款由VISHAY(威世)公司制造的高性能N沟道MOSFET,具有卓越的电气特性和出色的热管理能力。该器件采用了D2PAK封装(TO-263-3),专为高电压和高电流应用设计,广泛适用于开关电源、电动机驱动和功率转换器等健壮的电源管理系统。

关键特性

  1. 电压和电流能力

    • 漏源电压(Vdss):最高可承受400V,为设计人员提供了足够的安全边际以应对高压应用场景。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C的环境温度下,该器件的最大漏极电流可达到10A,令其适用于多种负载条件下的操作。
  2. 导通电阻和效率

    • 最大导通电阻(Rds(on)):在10V的栅极驱动电压与6A的漏极电流下,Rds(on)最大值为550mΩ。这一点使得IRF740STRLPBF在开关操作时具备较低的功耗,因而显著提升了整体系统效率。
  3. 驱动和保护设计

    • 栅极阈值电压(Vgs(th)):在250µA时最大阈值电压为4V。这意味着该MOSFET在较低的栅极驱动电压下便能开始导通,为电路设计提供了灵活性。
    • 栅极电荷(Qg):在10V栅极驱动下,Qg最大值为63nC,确保快速的开关响应,有助于提高开关频率和整体性能。
  4. 热管理

    • 功率耗散:该器件在环境温度(Ta)下的最大功率耗散为3.1W,而在结温(Tc)下可达到125W。这个特性对于高温环境下的工作尤为重要,能够避免器件过热,从而延长使用寿命。
  5. 工作环境

    • 工作温度范围:IRF740STRLPBF可以在-55°C至150°C的宽广温度范围内工作,这使得它适合各种苛刻的应用环境,例如汽车电子和工业设备。
  6. 电容特性

    • 输入电容(Ciss):在25V下的输入电容最大值为1400pF,展现了该器件在快速电流转换过程中的电性能表现。

应用场景

IRF740STRLPBF广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS)
  • 直流-直流变换器(DC-DC Converter)
  • 电动机驱动
  • 类似电力转换的应用
  • 电源管理系统
  • 逆变器和功率装置

封装和安装

采用TO-263-3(D2PAK)封装的IRF740STRLPBF不仅提供了稳定的物理结构,确保良好的热性能和电气连接,同时其表面贴装设计方便了在现代自动化生产线上的快速组装与高效生产。

总结

综上所述,IRF740STRLPBF作为一款高电压、高电流的N沟道MOSFET,配备了多项优异特性,如低导通电阻、宽工作温度范围以及出色的热管理性能,使其成为电力电子领域的理想选择。其强大的性能与多功能性为设计师们提供了更大的灵活性,能够满足现代电子产品对于效率和性能的严格要求。在多种应用中,IRF740STRLPBF都能够助力实现高性能解决方案,提升设备整体的可靠性与效率。