类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 6.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,6.0A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF740STRLPBF是一款由VISHAY(威世)公司制造的高性能N沟道MOSFET,具有卓越的电气特性和出色的热管理能力。该器件采用了D2PAK封装(TO-263-3),专为高电压和高电流应用设计,广泛适用于开关电源、电动机驱动和功率转换器等健壮的电源管理系统。
电压和电流能力
导通电阻和效率
驱动和保护设计
热管理
工作环境
电容特性
IRF740STRLPBF广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
采用TO-263-3(D2PAK)封装的IRF740STRLPBF不仅提供了稳定的物理结构,确保良好的热性能和电气连接,同时其表面贴装设计方便了在现代自动化生产线上的快速组装与高效生产。
综上所述,IRF740STRLPBF作为一款高电压、高电流的N沟道MOSFET,配备了多项优异特性,如低导通电阻、宽工作温度范围以及出色的热管理性能,使其成为电力电子领域的理想选择。其强大的性能与多功能性为设计师们提供了更大的灵活性,能够满足现代电子产品对于效率和性能的严格要求。在多种应用中,IRF740STRLPBF都能够助力实现高性能解决方案,提升设备整体的可靠性与效率。