类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@10V,6.8A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@10uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 398pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 36pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF9389TRPBF 是一款来自英飞凌科技(Infineon Technologies)的高性能场效应管(MOSFET),专为低电压和高效率的开关应用设计。此器件采用了先进的N沟道和P沟道结构,在多种电子电路应用中展现出卓越的性能,特别是在高频开关和逻辑电平门电路中。IRF9389TRPBF 的镀金SO-8封装使其适合于自动化生产线的表面贴装技术,且体积小巧,帮助节省电路板空间。
IRF9389TRPBF 可广泛应用于以下领域:
IRF9389TRPBF 采用SO-8表面贴装封装,使得其在PCB设计上具有良好的适应性,便于实现高密度布局。SO-8封装的优势在于引脚间距适中、热性能优秀,适合于大批量生产,能够在汇流排或集成电路中保持良好的连接稳定性。
与同类产品相比,IRF9389TRPBF 提供了更低的导通电阻和较高的连续工作电流能力,特别是在相对小尺寸和高效能的表面贴装封装中,展现出较强的市场竞争力。此外,广泛的工作温度范围以及逻辑电平门设计使其适用于更广泛的应用场景,为用户提供了更大的设计灵活性。
IRF9389TRPBF 是一款集成了高性能、优良温度范围和低功耗特性的MOSFET,适合现代电子设备的多种应用。无论是开关电源、马达驱动还是逻辑电平控制,IRF9389TRPBF 都为设计师提供了理想的解决方案。它的可靠性和高效率将为新一代电子设备提供更强劲的动力支持。