类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 281A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.65mΩ@10V,100A |
功率(Pd) | 341W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 274nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 13.703nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 806pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFP7530PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产。该器件集成了先进的 MOSFET 技术,具有卓越的导电性能、高功率密度和广泛的应用范围,非常适合高效能开关电源、逆变器、电动机驱动及其他高电流场合。
IRFP7530PBF 较高的电流和功率处理能力,使其在多种应用中非常受欢迎,包括但不限于:
IRFP7530PBF 是一款兼具高效能、稳定性和耐用性的 MOSFET,适合在多个高电流和高功率的应用场景中使用。它的设计考虑了广泛的工作条件和多样的应用需求,从而为工程师和技术人员提供了优良的解决方案。此外,英飞凌作为知名品牌,其产品质量可靠,备受市场认可,为用户提供了一个值得信赖的选项。