IRFU9120PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFU9120PBF

商品编码: BM0058402752
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-251-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;42W 100V 5.6A 1个P沟道 TO-251
库存 :
4870(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.53
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.53
--
100+
¥2.94
--
750+
¥2.72
--
1500+
¥2.59
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFU9120PBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5.6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@3.4A,10V
功率(Pd)2.5W;42W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)390pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

IRFU9120PBF手册

IRFU9120PBF概述

IRFU9120PBF 产品概述

概述: IRFU9120PBF 是一款由 VISHAY(威世)公司生产的高级 P 型通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电气性能和可靠性。此元器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电路,如DC-DC转换器、电机驱动、功率放大器和电源管理系统。IRFU9120PBF 以其高漏源电压和电流能力,适合要求严格的工业和消费电子应用。

关键参数:

  • FET类型:P通道MOSFET,适合高端电源和驱动应用。
  • 漏源电压(Vdss):最大工作电压为100V,使其能够在高电压环境中稳定工作。
  • 连续漏极电流(Id):在25°C时的最大值可达5.6A,适合中功率应用。
  • 驱动电压(Vgs):驱动电压的最小和最大值分别为10V和±20V,提供了良好的灵活性。
  • 导通电阻(Rds(on)):在3.4A电流和10V驱动下,最大导通电阻仅为600毫欧,保证了在通态时低损耗和高效率。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为4V,确保持久性开关性能。
  • 栅极电荷(Qg):在10V驱动下的栅极电荷为18nC,这在高频开关应用中表现良好。
  • 输入电容(Ciss):在25V下最大输入电容为390pF,降低了开关损耗和提高了开关速度。
  • 功率耗散:元器件在环境温度25°C时的最大功率耗散为2.5W,最高可达42W(在结温下),展现出强大的散热能力。
  • 工作温度范围:从-55°C到150°C,保证在极端环境中可靠运行。
  • 封装类型:采用TO-251AA封装,具有短引线设计,便于快速安装和良好的散热。

应用场景: IRFU9120PBF 适用于众多需要高电压及电流承载能力的应用场景,包括但不限于:

  1. 电机驱动控制:在各种电动机控制器中,用于高效开关和功率调节,确保电机在高效能条件下运转。

  2. DC-DC转换器:在开关电源和升降压转换器中,作为开关元件使用,提高能量转换效率,减少热损耗。

  3. 功率放大器:特别是在RF或音频应用中,提供强大的信号放大能力。

  4. 电源管理系统:用在智能电源管理模块中,确保系统稳定性和效能。

总结: IRFU9120PBF 是一款高性能的 P 型 MOSFET,适合在需要大功率和高电压的多种电子应用中使用。其优越的导通特性、低导通电阻、宽广的工作温度范围以及强大的功率耗散能力,使其在现代电子设备中成为了一种理想的选择。VISHAY作为知名电子元器件供应商,确保了此产品的高质量和高可靠性,使 IRFU9120PBF 成为广大工程师和设计师信赖的组件之一。无论是在工业应用还是消费电子设计中,IRFU9120PBF 都能够满足严苛的技术要求和性能标准。