IKD04N60RFATMA1
IKD04N60RFATMA1参数
| IGBT 类型 | 沟道 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 12A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，4A | 功率 - 最大值 | 75W |
| 开关能量 | 60µJ（开），50µJ（关） | 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 27nC | 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/116ns |
| 测试条件 | 400V，4A，43 欧姆，15V | 反向恢复时间 (trr) | 34ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
IKD04N60RFATMA1手册
IKD04N60RFATMA1概述
IKD04N60RFATMA1 产品概述
概要
IKD04N60RFATMA1 是由英飞凌（Infineon）开发的高性能、成本优化的绝缘栅双极晶体管（IGBT），专为消费级驱动市场设计。该器件采用TO-252-3（DPak）封装，集成了单片集成反向导通二极管，适用于各种高效能电机驱动应用。
基础参数
- IGBT 类型: 沟道型
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 8A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 12A
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，4A
- 功率 - 最大值: 75W
- 开关能量: 60µJ（开），50µJ（关）
- 输入类型: 标准
- 栅极电荷: 27nC
- 25°C 时 Td（开/关）值: 12ns/116ns
- 测试条件: 400V，4A，43 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr): 34ns
- 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
特点和优势
高性能和低损耗: IKD04N60RFATMA1 采用最新的IGBT3技术，提供了出色的开关性能和低导通电压（Vce(on)）。在15V栅极电压和4A集电极电流下，Vce(on)仅为2.5V，这大大降低了能量损耗，提高了系统效率。
集成反向导通二极管: 该器件内置了单片集成反向导通二极管，这不仅简化了电路设计，还减少了外部组件的数量，从而降低了总体成本和空间占用。
快速开关时间: IKD04N60RFATMA1 具有快速的开关时间，开启延迟时间（Td）仅为12ns，关闭延迟时间为116ns。这种快速开关能力使其特别适合于高频率应用。
低栅极电荷: 低栅极电荷（27nC）意味着驱动器件所需的能量较小，这进一步提高了系统的整体效率和可靠性。
宽工作温度范围: 该器件支持-40°C至175°C的宽工作温度范围，使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于多种工业和消费电子应用。
标准输入类型: 标准输入类型确保了与现有驱动电路的兼容性，简化了设计过程。
应用场景
IKD04N60RFATMA1 主要用于以下几个领域：
永磁同步电机（PMSM）和无刷直流电机（BLDC）驱动: 由于其出色的开关性能和低损耗特性，IKD04N60RFATMA1 非常适合用于高效能的PMSM和BLDC电机驱动系统。
消费级驱动市场: 该器件是为消费级驱动市场优化设计的，特别适用于家用电器、工业自动化设备以及其他需要高效能和可靠性的应用场景。
高频率应用: 快速开关时间和低栅极电荷使得IKD04N60RFATMA1 适用于要求高频率操作的系统，如变频器、逆变器等。
安装和封装
IKD04N60RFATMA1 采用TO-252-3（DPak）封装，这是一种常见且便于安装的表面贴装封装。这种封装形式不仅提高了生产效率，还降低了生产成本。
总结
IKD04N60RFATMA1 是一款高性能、成本优化的IGBT，通过其集成反向导通二极管、快速开关时间、低导通电压以及宽工作温度范围等特点，成为消费级驱动市场尤其是PMSM和BLDC电机驱动系统的理想选择。其标准输入类型和便于安装的TO-252-3封装进一步增强了其在实际应用中的优势。