IRFI4212H-117P

IRFI4212H-117P 产品概述

1. 产品简介

IRFI4212H-117P 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-220-5FP 封装，具有双 N 通道设计，适用于多种高功率应用场景。该器件以其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他高功率电子设备中。

2. 关键特性

• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 100V
• 连续漏极电流（Id）: 11A @ 25°C
• 导通电阻（Rds(on)）: 72.5 毫欧 @ 6.6A，10V
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）: 490pF @ 50V
• 最大功率: 18W
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: TO-220-5 整包
• 供应商器件封装: TO-220-5 整包

3. 详细参数分析

• 漏源电压（Vdss）: 100V 的漏源电压确保了该 MOSFET 能够承受较高的电压应力，适用于高压应用。
• 连续漏极电流（Id）: 11A 的连续漏极电流表明该器件能够处理较大的电流负载，适合高功率应用。
• 导通电阻（Rds(on)）: 72.5 毫欧的低导通电阻减少了导通损耗，提高了整体效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 5V 的栅极阈值电压确保了在较低的驱动电压下能够有效控制 MOSFET 的开关。
• 栅极电荷（Qg）: 18nC 的低栅极电荷减少了开关损耗，提高了开关速度。
• 输入电容（Ciss）: 490pF 的输入电容影响了 MOSFET 的开关速度，较低的输入电容有助于提高开关频率。
• 最大功率: 18W 的最大功率表明该器件能够处理较高的功率损耗，适合高功率应用。
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C 的宽工作温度范围确保了该器件在极端环境下的可靠性。

4. 应用领域

IRFI4212H-117P 适用于多种高功率应用场景，包括但不限于：

• 电源管理: 用于开关电源、DC-DC 转换器等。
• 电机驱动: 用于电机控制、伺服驱动等。
• 逆变器: 用于太阳能逆变器、UPS 等。
• 其他高功率电子设备: 如音频放大器、工业控制设备等。

5. 封装与安装

IRFI4212H-117P 采用 TO-220-5FP 封装，具有通孔安装类型，便于在 PCB 上进行安装和焊接。该封装设计具有良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。

6. 品牌与质量保证

英飞凌（Infineon）作为全球领先的半导体制造商，以其高质量和可靠性著称。IRFI4212H-117P 经过严格的质量控制和测试，确保其在各种应用场景下的稳定性和耐用性。

7. 总结

IRFI4212H-117P 是一款高性能的双 N 通道 MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围等优点，适用于多种高功率应用场景。其 TO-220-5FP 封装设计便于安装和散热，确保了器件的高可靠性和长寿命。英飞凌的品牌保证进一步增强了该产品的市场竞争力，是工程师和设计师在高功率电子设备中的理想选择。

通过以上详细的产品概述，用户可以全面了解 IRFI4212H-117P 的性能特点和应用领域，从而更好地选择和使用该器件。