晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 130MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP56-16T3G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的 NPN 型三极管,具有卓越的电气性能和广泛的应用灵活性。该元件的封装为 SOT-223(TO-261),适合表面贴装(SMT)技术,广泛应用于功率放大器、开关电源和其他电子电路中。
高电流承载能力: BCP56-16T3G 的最大集电极电流为 1A,允许在各种应用中实现高电流驱动,尤其适合驱动电机和灯光等负载。
耐压性能优越: 最大集射极击穿电压为 80V,确保了该三极管在高电压环境下的可靠性,使其在电源管理和高压应用中表现出色。
低饱和压降: 在高效率设计中,饱和压降是一个重要指标,BCP56-16T3G 在大约 500mV 的饱和压降使其在开关应用中能够大幅降低能量损失,提高整体系统效率。
高频性能: 130MHz 的跃迁频率使其适用于高频应用,如 RF 放大器和高速度信号处理,有助于满足现代通信设备对速度的要求。
宽工作温度范围: 工作温度范围为 -65°C 至 150°C,表明它可以在极端环境下稳定运行,适用于航空航天、汽车及工业设备等要求严格的工业环境。
BCP56-16T3G 晶体管的广泛应用包括但不限于:
总的来说,BCP56-16T3G NPN 晶体管是一款高性能的电子元件,具备优良的电气性能和广泛的应用潜力。其设计考虑了现代电子电路的需求,为工程师在设计高效、可靠的电子系统时提供了解决方案。无论是在消费电子、工业自动化,还是在通信设备中,BCP56-16T3G 都可以发挥重要作用。随着科技的不断进步,该款三极管将进一步推动创新应用的实现。