类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@4.5V,3.4A |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@10uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 310pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 49pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:IRLHS6276TRPBF
IRLHS6276TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能N沟道功率场效应管(MOSFET),专为低电压和高频应用而设计。其出色的电气性能和优化的封装使其在各种电子产品中得到广泛应用,特别是在功率管理、开关电源及小型电机驱动等领域。
IRLHS6276TRPBF采用表面贴装型PQFN-6(2x2)封装,具有紧凑的外形设计,便于自动化组装与集成。其最大漏极电流(Id)可达4.5A,适用于低功耗电路设计。此外,漏源电压(Vdss)为20V,使其在受限电压环境下稳定工作,是多种低电压应用的理想选择。
在3.4A的电流下,IRLHS6276TRPBF的最大导通电阻(Rds(on))为45毫欧,这对于降低导通损耗、提高电路效率至关重要。结合最大功率处理能力为1.5W,这款MOSFET在高频开关驱动时能够有效管理热量,确保器件在高负载下的稳定性和可靠性。
该MOSFET的重要电气特性包括:
IRLHS6276TRPBF具备宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C。这使其适合于各种苛刻环境下的应用,诸如汽车电子和工业自动化。在高温或低温条件下,该MOSFET依旧能够保持良好的性能和稳定性。
凭借其出色的电气特性和可靠的性能,IRLHS6276TRPBF广泛应用于以下领域:
总之,IRLHS6276TRPBF是一款集成了高效率、低功耗及优异热管理性能的N沟道MOSFET,适用于各种现代电子设计。其优越的导通电阻、宽广的工作温度范围以及兼容的逻辑电平驱动特性,使其在电子行业中占有重要的地位。无论是在新产品开发还是现有系统的优化中,IRLHS6276TRPBF都能够为工程师提供可靠的解决方案,助力于实现高性能、高效率的电子设备。