类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 190A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.9mΩ@10V,110A |
功率(Pd) | 370W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 140nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 11.49nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品概述:IRLS4030TRL7PP N通道MOSFET
引言 IRLS4030TRL7PP是一款高性能的N沟道MOSFET,属于英飞凌(Infineon)旗下的高功率元器件系列。该产品采用现代化的制造工艺,具备卓越的导通性能、极低的导通电阻和宽广的工作温度范围,特别适合在高电压、高电流的应用环境中使用。本文将对其规格、特点以及应用进行详细分析。
产品规格 IRLS4030TRL7PP的主要参数如下:
电性能与特性 IRLS4030TRL7PP具备极低的导通电阻,使得其在高电流条件下仍能保持高效率,显著降低开关损耗和静态损耗。这对于要求高效率和高功率的应用至关重要。此外,该产品的低阈值电压意味着它在低电压时即可启用,提高了系统的整体性能并降低了功耗。
应用场景 IRLS4030TRL7PP广泛应用于以下领域:
总结 IRLS4030TRL7PP是一款极具竞争力的高电压、高电流N沟道MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电力电子行业中的重要组件。无论是在传统电源转换器,还是在智能电动汽车、太阳能系统等新兴领域,IRLS4030TRL7PP都展现出优越的性能和可靠性,是设计工程师和电子产品制造商的首选产品之一。英飞凌对该产品的全面支持和广泛的市场应用前景,使其在瞬息万变的电子元器件市场中占据了一席之地。