晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SBC807-16LT1G 是一款高性能的 PNP 型三极管,具有广泛的电子应用场景。其设计使其能够满足多种电子设备中对电流和电压的要求,得到了包括安森美(ON Semiconductor)在内的多个知名电子元件制造商的认可。该元器件适合于表面贴装技术,特别是在小型化电子设备中的应用,能有效地节省空间并提高系统的集成度。
高电流处理能力: SBC807-16LT1G 可承受高达 500mA 的集电极电流,适合在需要较大功率的应用场合中使用。
低饱和压降: 该晶体管在工作时具有优秀的饱和压降特性,尤其在较低电流条件下,表现出良好的电效率,降低能量损耗。
小尺寸封装: SOT-23-3 封装适合现代电子元器件对空间的需求,能够方便地被集成到各种小型化的电路设计中。
高增益特性: 最大直流电流增益为 100,确保其在信号放大和开关电路中的出色表现,提高了系统的整体效能。
宽工作温度范围: 一般的应用环境可能会经历极端的温度波动,但 SBC807-16LT1G 能在 -55°C 到 150°C 的温度范围内稳定工作,适合高温和低温环境下的应用。
SBC807-16LT1G 可广泛应用于多种电子设备和系统,包括但不限于:
总之,SBC807-16LT1G PNP 晶体管凭借其优越的电性能、宽工作温度范围及小型化设计特点,成为现代电子电路中光电器件的理想选择。无论是在工业应用,还是在日常消费电子产品中,均能满足高效、可靠的需求。在未来电子设备愈发追求小型化及高性能的趋势下,SBC807-16LT1G 的应用前景将愈加广泛。对于设计师和工程师来说,充分理解其参数特性及应用场景,将有助于在开发项目中选择最适合的器件。