类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@4.5V,2.0A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 870pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 220pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7205TRPBF 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款 P 通道 MOSFET(场效应管),具有高效能和多功能的特性。该器件专门设计用于各种电子应用,尤其是需要高集成度和小尺寸的现代电子设备。以下是该产品的详细规格、应用场景和特点。
IRF7205TRPBF 由于其卓越的电流承载能力和低导通电阻,广泛应用于多种电子电路中,主要包括但不限于以下领域:
IRF7205TRPBF 是一款性能优越的 P 通道 MOSFET,结合了高导电能力、广泛的工作温度范围和低功率损耗等优势,非常适合现代高性能电子应用。无论是在电源管理、信号切换还是驱动电机,IRF7205TRPBF 都能提供可靠的解决方案。对于寻求高效能和小尺寸集成的设计师而言,该产品无疑是一个值得考虑的理想选择。