IRF7205TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF7205TRPBF

商品编码: BM0058411209
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.286g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 4.6A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.27
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.27
--
4000+
¥1.2
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7205TRPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)130mΩ@4.5V,2.0A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)40nC输入电容(Ciss@Vds)870pF
反向传输电容(Crss@Vds)220pF工作温度-55℃~+150℃

IRF7205TRPBF手册

IRF7205TRPBF概述

IRF7205TRPBF 产品概述

IRF7205TRPBF 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款 P 通道 MOSFET(场效应管),具有高效能和多功能的特性。该器件专门设计用于各种电子应用,尤其是需要高集成度和小尺寸的现代电子设备。以下是该产品的详细规格、应用场景和特点。

产品规格

  1. FET 类型: P 通道 MOSFET
  2. 漏源电压 (Vdss): 30V
  3. 最大连续漏极电流 (Id): 4.6A(在 25°C 环境温度下)
  4. 导通电阻 (Rds On):
    • 最大值 70 毫欧 @ 4.6A,10V
  5. 栅极阈值电压 (Vgs(th)):
    • 最大值 3V @ 250µA
  6. 驱动电压:
    • 最大 Rds On,最小 Rds On 驱动电压为 4.5V 和 10V
  7. 栅极电荷 (Qg):
    • 最大值 40nC @ 10V
  8. 输入电容 (Ciss):
    • 最大值 870pF @ 10V
  9. 最大功率耗散: 2.5W(在提供的温度条件下)
  10. 工作温度范围: -55°C 至 150°C(结温 TJ)
  11. 安装类型: 表面贴装型
  12. 封装: 8-SOIC(0.154" 或 3.90mm 宽)

应用场景

IRF7205TRPBF 由于其卓越的电流承载能力和低导通电阻,广泛应用于多种电子电路中,主要包括但不限于以下领域:

  1. 电源管理: 在开关电源和DC-DC转换器中作为开关器件,以提高能效。
  2. 电机控制: 用于各种电机驱动和控制电路,实现高效的电机驱动。
  3. 音频放大器: 在低频音频放大器中,可用作开关元件,增强音频信号的传输。
  4. 信号开关: 可用作信号开关,精确控制信号的开关状态,适用于无线电频率应用。
  5. 电池管理系统: 用于智能电池管理,以实现高效的电池充放电过程。

特点与优势

  1. 高功率密度: IRF7205TRPBF 的高功率耗散能力使其能够在高负载条件下稳定工作,降低了因过热导致的故障风险。
  2. 低导通电阻: 低 Rds On 值有助于降低能量损耗,提高系统效率,尤其适合高频应用。
  3. 宽工作温度范围: 从 -55°C 至 150°C 的工作温度符合严苛环境需求,适用于工业和汽车等领域。
  4. 小体积: 采用 SO-8 封装,带来了更小的占板面积,使得它适用于空间受限的应用场合。
  5. 简单的驱动要求: 最小 4.5V 的驱动电压使得控制电路设计更加简单与方便,易于与其他逻辑电平兼容。

总结

IRF7205TRPBF 是一款性能优越的 P 通道 MOSFET,结合了高导电能力、广泛的工作温度范围和低功率损耗等优势,非常适合现代高性能电子应用。无论是在电源管理、信号切换还是驱动电机,IRF7205TRPBF 都能提供可靠的解决方案。对于寻求高效能和小尺寸集成的设计师而言,该产品无疑是一个值得考虑的理想选择。